1) static random access memory
随机静态存储器
1.
Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory
随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应
2) SRAM
静态随机存储器
1.
Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs;
总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)
2.
Total Dose Resistance in PDSOI SRAM;
PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固
3.
The Characteristic Study of Data Remanence of SRAM;
静态随机存储器数据残留特性研究
4) SRAM
静态随机存取存储器
1.
The Single Event Effect(SEE) simulation experiment was carried out on proton accelerators for Static Random Access Memories(SRAMs).
应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。
2.
The SEU heavy ion LET thresholds were between 4～8MeV·cm 2/mg and the saturation SEU cross sections were of the order of 10 -7 cm 2·bit -1 , for IDT and HM series Static Random Access Memories (SRAMs).
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。
3.
Expermental methods were emphatically described for measuring the proton Single Event Upset (SEU) cross section in Static Random Access Memories (SRAMs).
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。
5) static random access memory
静态随机存取存储器
1.
The manufacture of system for testing static random access memory radiation effect;
静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制
2.
Full Custom Design and Realization of Static Random Access Memory IP Core;
静态随机存取存储器IP核全定制设计与实现
6) TSRAM
隧穿静态随机存储器
1.
A RTD-based TSRAM cell is introduced.
介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理 。
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条