1) polymer thin-film transistor
聚合物薄膜晶体管
1.
High mobility polymer thin-film transistors
高迁移率聚合物薄膜晶体管
2) Polymer film micro-crystals
聚合物薄膜微晶
3) polymer/liquid crystal composition
聚合物/液晶复合薄膜
4) nano crystal and polymer complex thin film
纳米晶聚合物复合薄膜
1.
A kind of novel nano crystal and polymer complex thin film PT PEK c was fabricated.
研制了一种新的钛酸铅 聚醚醚酮 (PT PEK c)纳米晶聚合物复合薄膜 ,用视频摄像技术准确、实时地分析了这种复合薄膜的传输损耗。
5) TFT
薄膜晶体管
1.
A Novel Ultra-Thin Channel Poly-Si TFT Technology;
多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)
2.
Charge Sharing Effects of Grain Boundary in Polysilicon TFTs;
多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应
3.
An FAAS method for the determination of mass ratio of chemical composition in thin film transistors ( TFT ) of CdSe is proposed in this paper.
以特纯CdSe为标样 ,用火焰原子吸收法 (FAAS) ,分别测定CdSe薄膜晶体管 (TFT)中Cd与Se的含量及化学组成质量比 ,分别验证了CdSe粉末总量测定值 ,CdSe粉末化学组成质量比测定值 ,薄膜样品测定值的准确度 ,其相对误差分别为 0 4 2 %、-3 8%和 -0 5 %。
6) thin film transistor
薄膜晶体管
1.
The fabrication of thin film transistors with ZnO as active channel layer;
以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究
2.
This paper describes the historical background,the typical structure and actual application in AMLCDs of thin film transistor.
ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点。
3.
The paper analylizes the operation characteristics of this kind of transistor according to the test results of the fabricated a Au/CuPc/Al/CuPc/of structure organic thin film transistor with vertical conductive channel.
根据试制的Au/CuPc/A l/CuPc/Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理。
补充资料：聚[3,3-双(氟甲基)氧杂环丁烷]
分子式：
CAS号：
性质： 以氟原子取代氯的卤化聚醚树脂类似物。同氯化聚醚一样，经拉伸和极化处理的该类树脂也表现出压电和热电性质。由于分子中碳氟键的极性比碳氯键大，预期在热电性质方面具有优越性质，而且氟取代物的碳氟键能高，其化学稳定性要好于氯取代类似物。聚[3,3-双(氟甲基)氧杂环丁烷]的合成与聚[3,3-双(氯甲基)氧杂环丁烷]的制备类似，首先合成3,3-双(氟甲基)氧杂环丁烷，然后利用开环聚合反应得到该聚合物。
CAS号：
性质： 以氟原子取代氯的卤化聚醚树脂类似物。同氯化聚醚一样，经拉伸和极化处理的该类树脂也表现出压电和热电性质。由于分子中碳氟键的极性比碳氯键大，预期在热电性质方面具有优越性质，而且氟取代物的碳氟键能高，其化学稳定性要好于氯取代类似物。聚[3,3-双(氟甲基)氧杂环丁烷]的合成与聚[3,3-双(氯甲基)氧杂环丁烷]的制备类似，首先合成3,3-双(氟甲基)氧杂环丁烷，然后利用开环聚合反应得到该聚合物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条