3) Ductile mode grinding
延性域磨削
1.
Ductile mode grinding is a new technology in recent years, and it is considered as the most promising technique of flattening and thinning silicon wafers.
延性域磨削是近十几年发展起来的新技术，硅片的延性域磨削被认为是硅片平整化和硅片薄化最有前途的加工技术，但由于其前提条件是磨粒的切削深度小于临界切削深度，因此实现起来比较困难。
4) semi-ductile regime grinding
半延展性磨削
5) critical ductile grinding depth
临界延性磨削深度
1.
On the basis of contrast test with or without ultrasonic vibration, the influence of critical ductile grinding depth on grinding forces and surface quality were studied by analyzing the grinding forces in different grinding state and surface quality observed by SEM and AFM.
本文分析了纳米ZrO2陶瓷在普通和超声磨削状态下的裂纹扩展过程及延性去除机理;通过对不同磨削状态的磨削力及AFM和SEM对表面质量的观察,做了在普通和超声磨削状态下的对比试验,研究了临界延性磨削深度对磨削力及表面质量的影响关系;基于超声振动磨削过程及磨削力的分析,讨论了超声振动增加延性磨削深度的原因,最后通过AFM对延性域加工表面形貌的形成机理进行了观察。
6) ductile-mode material removal
延性切削
1.
The test results show that the mechanism of ductile-mode material removal of the brittle material is attributed to a combination of.
试验结果表明,脆性材料的延性切削模式的实现是由于云母晶体对裂纹走向的引导和玻璃相的强烈的剪切变形能力的共同作用。
补充资料：超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
伦敦第二个方程（见“伦敦规范”）表明，在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r)，而与其他位置的A无牵连；换言之，局域的A(r)可确定该局域的js(r)，反之亦然，即理论具有局域性，所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变，则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`，所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此，超导电性需由非局域性理论来描绘，称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条