1) Low Temperature plasma enhance chemical vapour deposition
低温等离子增强化学气相沉积
2) LPPCVD
低压等离子体增强化学气相沉积法
1.
α-C∶H thin films were deposited by low-pressure plasma chemical vapor deposition(LPPCVD)with H2(99.
9999%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。
3) very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
超高频等离子体增强化学气相沉积
1.
Deposition of μc-Si:H films at a high rate was investigated using very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) in this paper.
采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响。
5) Direct current plasma enhanced chemical vapour deposition
直流等离子体增强化学气相沉积
6) PECVD
等离子体增强化学气相沉积
1.
The Effect of Repeated Ar~+ Bombardment on the Corrosion Resistance of Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposited (PECVD) TiN Film;
循环氩离子轰击对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜耐腐蚀性能的影响
2.
Facet Antireflection Coatings Deposited by PECVD;
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究
3.
High Quality ZnO Thin Films Grown by PECVD from Metal Organic Zinc and Carbon Dioxide Mixture Gas Sources;
用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜
补充资料：低温
低温
hypothermia
低温状态下脑组织对缺氧的耐受性明显增加。体温低于37℃时，每减低1℃，脑组织代谢率减少6.7%，颅内压减低5.5%，在人工呼吸、心脏按压的同时或稍后应给予降温处理，可采用正规冬眠疗法使体温降至肛温35℃左右，目前尤为重视头部局部降温，戴冰帽，头温降至32℃左右，重症要降温3～5天。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条