1) Inductively coupled plasma enhance chemical vapor deposition (ICPECVD)
感应耦合等离子体增强化学气相沉积
2) direct current-radio frequency plasma enhan- ced chemical vapor deposition
偏压/射频耦合等离子体增强化学气相沉积
3) ICP-CVD
电感耦合等离子体化学气相沉积
1.
,the metal-induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA) and inductively coupled plasma CVD(ICP-CVD),with their advantages and disadvantages compared wi.
本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。
2.
The principles and progress of LTPS preparation methods including metal induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA),catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) were systematically introduced.
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。
4) Plasma enhanced metal-organic chemical vapour deposition
等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积
5) very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition
超高频等离子体增强化学气相沉积
1.
Deposition of μc-Si:H films at a high rate was investigated using very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) in this paper.
采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响。
6) Direct current plasma enhanced chemical vapour deposition
直流等离子体增强化学气相沉积
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条