2) GaAs Schottky Barrier Diode
GaAs肖特基势垒二极管
3) schottky barrier diodes(SBD)
肖特基二极管(SBD)
4) Schottky diode
肖特基二极管
1.
Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector;
4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析
2.
A study of the characteristics of p-type Al/6H-SiC schottky diode;
p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究
3.
Study on model of MISiC Schottky diodes hydrogen sensor;
MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
5) SiC Schottky Diode
SiC肖特基二极管
1.
Application of SiC Schottky Diode in High Power Factor Correction;
SiC肖特基二极管在大功率PFC中的应用
6) Schottky Barrier Diode
肖特基二极管
1.
The effect of ~(60)Co γ ray irradiation on the 1/f noise of Schottky barrier diodes;
~(60)Co γ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
2.
Theoretical and experimental analysis of Schottky barrier diode rectification;
肖特基二极管整流的计算与测量
3.
Research on the Characterization Technique for Irradiation-proof Competence of Schottky Barrier Diode;
肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条