1) amorphous silicon anti-fuse
非晶硅反熔丝
1.
It introduces an amorphous silicon anti-fuse PROM(programmable memory) circuit in this article.
本文介绍了一种以非晶硅反熔丝为介质的PROM电路,包括存储单元和外围主要电路(译码电路,读写电路等)。
2) Co-Fe-Si-B amorphous wire
钴-铁-硅-硼非晶丝
3) anti-fuse FPGA
反熔丝FPGA
1.
A low power solution of EPM implemented by anti-fuse FPGA is proposed,which includes the design of input interface,buffer and rurdength-limited(5, 12) (RLL)eneoder state machine.
提出了基于反熔丝FPGA的EPM调制低功耗实现方案,包括输入接口、缓冲器与RLL(5,12)编码状态机的设计,以及数据恢复、脉冲提取等EPM解调关键技术的解决方案。
4) antifuse
反熔丝
1.
Total ionizing dose and hardening techniques of MTM antifuse FPGAs;
MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术
2.
LED antifuses and photodiode detector were integrated into a microfluidic chip that is realized with extended standard IC-compatible technology and micromachining technology.
介绍了一种新型的集成反熔丝和光敏二极管的微流体测量芯片的设计。
6) Amorphous silicon
非晶硅
1.
Influence of annealing on phosphor-doped hydrogenated amorphous silicon as thermal sensitive material;
热敏材料掺磷非晶硅的退火行为
2.
On the deposition rate of amorphous silicon thin films;
非晶硅薄膜的沉积速率研究
3.
Characteristics of amorphous silicon solar cells as the energy system for space application;
非晶硅太阳电池作为空间能源的性能特点
补充资料：非晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条