1) organic light-emitting materials
载流子注入和传输
2) carrier injection
载流子注入
1.
The coulumb effect on the carrier injection process of BN nanotube;
BN纳米管载流子注入的库伦效应
2.
The carrier injection process of polymer light-emitting diodes (PLEDs) with MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene]) as the light-emitting layer, was investigated using impedance spectroscopy, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-F) techniques.
采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程。
3.
The process of carrier injection is one of the most fundamental physical processes in PLED.
聚合物发光器件载流子注入过程是器件的一个基本物理过程，它对器件的许多重要性能都有重要的影响，为了提高电子的注入，经常在聚合物发光器件阴极与有机发光层之间插入一层介质修饰层，为了解阴极修饰层厚度变化时阴极电子的注入特性，本文制作了以MEH-PPV为有机发光层的聚合物电致发光器件，阴极修饰材料用LiF，当只改变LiF厚度时，一定电压下，器件的电流值随之先增大，而后又减小，这说明LiF在作为阴极修饰层时，存在一个最优厚度，这时电子注入势垒较低。
3) injection carrier
注入载流子
1.
The variation of reflectance spectrum induced by injection carrier in GaAlAs film is studied experimentally.
实验研究了GaAlAs膜反射谱的注入载流子感生变化,给出不同浓度载流子注入后膜反射谱变化曲线及其与注入载流子浓度的关系曲线。
4) Charge carriers transport and balance
载流子传输和平衡
5) carrier-transporting
载流子传输
1.
This paper summarizes the progress of the molecular organic EL materials, especially highlighting the oligomer and carrier-transporting emitters.
本文主要介绍近年来有机分子电致发光材料最新的发展 ,并特别讨论了齐聚物和含载流子传输单元的发光体。
6) charge transport
载流子传输
1.
The performances of organic semiconductor thin film devices are largely determined by the transport properties of the organic-organic (OO) interfaces,but many present theories concerning charge transport at OO interfaces are not suitable for practical device modelling.
结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度。
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条