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1)  Poly-Si/SiO_2 interface
多晶硅/氧化硅面
2)  poly-Si/SiO2 interface
多晶硅/氧化硅界面
1.
It is found that the poly-Si/SiO2 interface has a transition region instead of changingabruptly.
利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。
3)  poly reox
多晶硅再氧化
4)  dioxide polysilicon isolation
二氧化硅 多晶硅隔离
5)  multicrystalline silicon texture
多晶硅绒面
6)  noncrystalline silica
非晶氧化硅
补充资料:多晶
分子式:
CAS号:

性质:多晶(体)是众多取向机遇的单晶(体)的集合。多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础,对同一品种晶体来说,两者本质相同。两者不同处在于单晶是各向异性的,多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时,多晶样亦有其特色。多晶体中当晶粒粒度较小时,晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象,样品清晰度差,呈散射光。这种场合的多晶亦常称作粉晶(powder crystal)。

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