1) wellbias
阱极偏置
1.
The wellbias circuit is designed to reduced the leakage current of the ARM926 platform (lo-vt transistors in Hip7A by increasing the threshold voltage during the standby mode.
并重点阐明阱极偏置(well bias)节电技术在目前超深亚微米(0。
2) base bias
基极偏置
1.
This paper introduces the working principle of class c power amplifier, analyzes the base bias circuit of class c power amplifier, and compares the simulation results of two kinds of class c power amplifier
介绍了丙类谐振功率放大器的工作原理,分析了丙类谐振功率放大器的基极偏置电路,比较了两种丙类谐振功率放大器仿真结果。
3) deflection electrode
偏置电极
4) emitter bias
发射极偏置
5) collector bias
集电极偏置
6) screen-grid bias
帘栅极偏置
补充资料：偏置屈服应力
分子式：
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条