1) BZN varactor
BZN变容管
1.
This dissertation researches on VCO in X-band and tunable bandstop filte tuned by BZN varactor.
本文研究了基于BZN变容管调谐而设计的X波段的VCO和调谐带阻滤波器,利用分布参数和半分布参数的思想设计VCO,并对比了这两种结构的相位噪声和调谐率,通过带阻滤波器和低通原型滤波器之间的变换关系设计出带阻滤波器,并在微带电路中采用BZN变容管实现中心频率的变化。
2) BZN capacitor
BZN电容
3) Varactor
[英][və'ræktə] [美][və'ræktɚ, væ-]
变容管
1.
The Determination of Design Parameter of Hyperabrupt Varactors by Having Known CV Characteristic;
根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法
2.
A novel configuration of a MOS varactor is designed for good linearity of Kvco,as well as a new digital capacitor controlled array topology with lower parasitic capacitance and lower Ron.
通过改变MOS变容管的接入方法实现了更好的压控增益线性度,并采用了新的低寄生电容、低导通电阻的数控电容阵列结构来补偿工艺变化带来的频率变化。
3.
The VCO uses the MOS transistors and capacitors to form the equivalent varactor,takes low-voltage and low-power into account and uses only one spiral inductor on chip in order to minimize the size of die.
采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 。
4) MOS varactor
MOS变容管
1.
A modeling methodology for MOS varactor was presented for applications at millimeter-wave frequencies.
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。
2.
A conventional MOS transistor is modified to an accumulation-mode MOS varactor.
25μmCMOS工艺,将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管,实现了一工作于2。
5) Si Varactor
硅变容管
6) varactor diode
变容二极管
1.
Using the periodical surface′s character of band gap and impedance transition of electromagnetic crystal structure such as photonic band gap(PBG),frequency selection surface(FSS),high impedance surface(HIS) and so on,the varactor diode was put onto the approximate HIS′s surface to join each cell of metal on top layer to realize the electronic control for periodical structure.
利用如光带隙电磁结晶结构、高阻抗结构等周期性结构的带隙特性和阻抗特性,通过在类似高阻抗表面的周期性金属单元表面铺设有源器件———变容二极管,控制周期性结构的性能,建立有源周期性结构,影响入射电磁波的传播特性,实现对反射波束的指向的有源控制和有效改变。
2.
In this method, the capacitance of the varactor diode is changed by voltage.
文章详细介绍了一种225MHz-400MHz压控调谐滤波器的实现方法,该方法主要是通过电压改变变容二极管的电容,从而改变带通滤波器的中心频率,从而实现压控滤波。
3.
In this paper,the design principles and methods of the super-abrupt junction GaAs varactor diode has been discussed.
本文详尽地讨论了砷化镓超突变结变容二极管的设计原理和方法。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条