1) digitally controlled MOS varactor
数控MOS变容管
1.
To improve the performance of the DCO,several circuit techniques,such as inversion-mode digitally controlled MOS varactors,a digitally controlled MOS varactor matrix,dynamic element matching,and a lined MASH ΣΔ modulator,are used.
针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣΔ调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC0。
2) MOS varactor
MOS变容管
1.
A modeling methodology for MOS varactor was presented for applications at millimeter-wave frequencies.
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。
2.
A conventional MOS transistor is modified to an accumulation-mode MOS varactor.
25μmCMOS工艺,将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管,实现了一工作于2。
3) accumulation-mode MOS varactor
累积型MOS变容管
1.
An improved model for accumulation-mode MOS varactor RF devices that can describe the characteristics of the device with simple equations valid in all operating regions is presented.
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题。
4) MOS varactors
MOS管可变电容
1.
The tuning capacitance of the proposed switched step capacitors is 146% of the conventional inversion-MOS varactors’.
一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%。
5) MCT
MOS控制晶闸管
1.
The structure and principle of the new power device MCTCMOS controlled thvristor are mtrodcued The Model of MCT under the condition of turn-off is studied.
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的正确
2.
The analytical expression for the maximum controllable current in MCT is established and it is only related to the emitter shorted current and current gain in coupled transistors, which is also simulated based on the MCT model.
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 。
6) clock-controlled neuron MOS
钟控神经MOS管
1.
Design of multi-valued double-edge-triggered D flip-flop based on clock-controlled neuron MOS transistor
基于钟控神经MOS管的多值双边沿D触发器设计
补充资料：像增强管与变像管
像增强管是将微弱的可见光图像增强，使之成为明亮的可见图像的真空电子器件。变像管是将不可见光的图像变成可见图像的真空电子器件。在像增强管和变像管中，当外来辐射图像成像于光电阴极时，光电阴极发射电子，电子经加速或经电子透镜聚焦并加速后，轰击荧光屏使之产生较亮的可见图像。
1934年，G.霍尔斯特等人制出第一只红外变像管。工作时，在平面阴极与平面荧光屏之间加高电压，阴极与荧光屏距离很近。这是一种近贴聚焦系统。此后又出现静电聚焦和电磁聚焦的成像系统。
单级像增强管的亮度增益通常在 50到100倍之间。采用纤维光学面板作为输入和输出窗口，可以把像增强管级联起来。三级级联的像增强管可获得104到105倍的亮度增益。级联像增强管配上物镜、目镜和电源后即成为夜间观察仪器，可用于军事、天文、医学、特殊照相、动物夜间习性观察、夜间监视等。这种可级联的像增强管称为第一代微光管,体积较大,且防强光能力差。在静电聚焦或近贴聚焦系统中加入一块微通道板，使单管达到104倍的亮度增益,就成为第二代像增强管(图1, 图2)。微通道板实际上是一个次级发射电流放大器。它是由几十万?良赴偻蚋招牟Ａ孔槌傻恼罅校扛招牟Ａ慷季哂幸欢ǖ牡绲悸屎痛笥? 1的次级发射系数。微通道板两端面涂有电极,可加600～1000伏的电压。光电子进入微通道板后,通过倍增作用,使电流放大1000～3000倍。其输出电子经加速后轰击荧光屏，显示出可见光图像。
在平面阴极和平面荧光屏之间加微通道板的双近贴式微光管没有倒像作用。通常采用 180°扭转的纤维光学面板，把由物镜形成的倒立像再颠倒过来，从而得到正立的图像。这类微光管一般采用厚多碱光电阴极，以提高红光和近红外区域的灵敏度。采用灵敏度更高的Ⅲ-Ⅴ族负电子亲和势光电阴极，即为第三代像增强管。
红外变像管通常采用对红外敏感的半透明银氧铯光电阴极。用红外变像管可以制成红外望远镜。
人眼只能感受范围很窄的电磁辐射（即可见光）。一些物质可将紫外线、X射线、γ射线等转换成可见光，可称为转换物质。应用变像管原理，在阴极基底上制作转换物质层和光电阴极，就能制成对某种射线敏感的变像管。例如转换材料是X射线荧光屏或CsI(Na)层，可制成X射线增强管。如果转换材料是闪烁晶体,可制成γ射线变像管。这种方法还可以推广应用于 α射线、β射线和中子辐射。例如利用中子源和中子变像管可以检查大型金属铸件中的缺陷。
1934年，G.霍尔斯特等人制出第一只红外变像管。工作时，在平面阴极与平面荧光屏之间加高电压，阴极与荧光屏距离很近。这是一种近贴聚焦系统。此后又出现静电聚焦和电磁聚焦的成像系统。
单级像增强管的亮度增益通常在 50到100倍之间。采用纤维光学面板作为输入和输出窗口，可以把像增强管级联起来。三级级联的像增强管可获得104到105倍的亮度增益。级联像增强管配上物镜、目镜和电源后即成为夜间观察仪器，可用于军事、天文、医学、特殊照相、动物夜间习性观察、夜间监视等。这种可级联的像增强管称为第一代微光管,体积较大,且防强光能力差。在静电聚焦或近贴聚焦系统中加入一块微通道板，使单管达到104倍的亮度增益,就成为第二代像增强管(图1, 图2)。微通道板实际上是一个次级发射电流放大器。它是由几十万?良赴偻蚋招牟Ａ孔槌傻恼罅校扛招牟Ａ慷季哂幸欢ǖ牡绲悸屎痛笥? 1的次级发射系数。微通道板两端面涂有电极,可加600～1000伏的电压。光电子进入微通道板后,通过倍增作用,使电流放大1000～3000倍。其输出电子经加速后轰击荧光屏，显示出可见光图像。
在平面阴极和平面荧光屏之间加微通道板的双近贴式微光管没有倒像作用。通常采用 180°扭转的纤维光学面板，把由物镜形成的倒立像再颠倒过来，从而得到正立的图像。这类微光管一般采用厚多碱光电阴极，以提高红光和近红外区域的灵敏度。采用灵敏度更高的Ⅲ-Ⅴ族负电子亲和势光电阴极，即为第三代像增强管。
红外变像管通常采用对红外敏感的半透明银氧铯光电阴极。用红外变像管可以制成红外望远镜。
人眼只能感受范围很窄的电磁辐射（即可见光）。一些物质可将紫外线、X射线、γ射线等转换成可见光，可称为转换物质。应用变像管原理，在阴极基底上制作转换物质层和光电阴极，就能制成对某种射线敏感的变像管。例如转换材料是X射线荧光屏或CsI(Na)层，可制成X射线增强管。如果转换材料是闪烁晶体,可制成γ射线变像管。这种方法还可以推广应用于 α射线、β射线和中子辐射。例如利用中子源和中子变像管可以检查大型金属铸件中的缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条