1) BST algorithm
BST算法
2) BST value
BST值
3) Ba_1-xSr_xTiO_3(BST)
Ba1xSrxTiO3(BST)
5) BST thin film
BST薄膜
1.
The effects of electrode materials on dielectric properties of BST thin films;
电极材料对BST薄膜介电性能的影响
2.
Using water-based solution as precursors, BST thin films were fabricated by spin coating technique.
薄膜的相结构研究表明,随着退火温度的上升,BST薄膜的结晶度上升,而晶粒尺寸随之略有下降。
3.
BST thin film has outstanding dielectric property.
BST铁电薄膜具有优异的介电性能,电极材料特别是底电极材料,影响并决定BST薄膜的电学及介电行为,选择合适的电极材料对BST薄膜的性能至关重要,本文综述了电极材料对BST薄膜结构和介电性能的影响以及此方面的最新研究成果。
6) BST thin films
BST薄膜
1.
Temperature characteristics of leakage current of BST thin films;
BST薄膜漏电流温度特性研究
2.
Preparation,dielectric properties of BST thin films by plused laser deposition;
PLD法制备BST薄膜及其介电性能研究
3.
Fabrication of BST thin films by sol-gel method and dielectric tunable properties;
sol-gel法制备BST薄膜及介电调谐性能
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条