1) Mask Matrix
掩膜矩阵
2) masking matrix circuit
掩蔽矩阵电路
3) masked gate array
掩膜式门阵列
4) maskless array synthesizer (MAS)
无掩膜的阵列合成器
5) Mask
[英][mɑ:sk] [美][mæsk]
掩膜
1.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
2.
Micro Multiple Holes Produced by Through-mask Electrochemical Machining In Metal Sheets;
金属薄板微小群孔掩膜电解加工技术研究
3.
X Ray Mask in LIGA Process;
LIGA 技术中的 X 射线掩膜
6) masking
[英]['mɑ:skiŋ] [美]['mæskɪŋ]
掩膜
1.
Research of Aided Masking Technique in Videcomp;
视频合成中辅助掩膜技术的研究
2.
In view of the deficiency of the traditional man-made masking method, a computer-aided masking algorithm is presented.
针对视频合成中采用的人工掩膜方式的不足，提出一种计算机辅助掩膜生成算 法。
3.
The method includes three steps,namely,data-inspection-evaluation,interference deletion(or masking technique),the delineation and grading of remote sensing anomaly.
该方法包括数据检查评价、干扰去除(或称掩膜)、遥感异常的圈定及分级3部分。
补充资料：掩蔽
分子式：
CAS号：
性质：在分析测定多种组分的试样时，共存组分对欲测组分常产生干扰，若在试液中加入一种能与干扰物质发生化学反应的某种试剂，使干扰物质的浓度降低至不致干扰测定反应的程度，从而消除了干扰。此过程称为掩蔽或掩蔽效应(masking effect)。所加入的试剂称为掩蔽剂(masking agent)。根据化学反应的类型不同，掩蔽剂可分为：络合掩蔽剂，它与干扰离子生成更稳定的络合物，这是应用广泛最重要的一类掩蔽剂；沉淀掩蔽剂，与干扰离子生成沉淀；氧化还原掩蔽剂，它是一种氧化剂或还原剂，能改变离子的价态。利用掩蔽法消除干扰，比采用分离方法省时、省力。掩蔽效率用掩蔽指数来衡量，常用符号lgαN(x)表示。N代表干扰离子，X代表络合掩蔽剂，αN(x)表示掩蔽效率。αN(x)=[N]+[NX1]+[NX2]+…+[NXn]/[N]=[N]总/[N]。取对数式lgαN(x)=lg[N]总/[N]。lgαN(x)称为掩蔽指数。式中[N]总表示干扰离子与络合剂X生成络合物各种型体浓度的总和，[N]表示游离干扰离子的浓度。显然，lgαN(x)值越大，游离[N]越少，说明掩蔽效率越高。
CAS号：
性质：在分析测定多种组分的试样时，共存组分对欲测组分常产生干扰，若在试液中加入一种能与干扰物质发生化学反应的某种试剂，使干扰物质的浓度降低至不致干扰测定反应的程度，从而消除了干扰。此过程称为掩蔽或掩蔽效应(masking effect)。所加入的试剂称为掩蔽剂(masking agent)。根据化学反应的类型不同，掩蔽剂可分为：络合掩蔽剂，它与干扰离子生成更稳定的络合物，这是应用广泛最重要的一类掩蔽剂；沉淀掩蔽剂，与干扰离子生成沉淀；氧化还原掩蔽剂，它是一种氧化剂或还原剂，能改变离子的价态。利用掩蔽法消除干扰，比采用分离方法省时、省力。掩蔽效率用掩蔽指数来衡量，常用符号lgαN(x)表示。N代表干扰离子，X代表络合掩蔽剂，αN(x)表示掩蔽效率。αN(x)=[N]+[NX1]+[NX2]+…+[NXn]/[N]=[N]总/[N]。取对数式lgαN(x)=lg[N]总/[N]。lgαN(x)称为掩蔽指数。式中[N]总表示干扰离子与络合剂X生成络合物各种型体浓度的总和，[N]表示游离干扰离子的浓度。显然，lgαN(x)值越大，游离[N]越少，说明掩蔽效率越高。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条