1) graphite-MoS2
石墨—二硫化钼
2) MoS 2 copper graphite composite
二硫化钼-铜-石墨复合材料
3) Graface
['ɡræfis]
石墨-二硫化钼固体润滑剂
4) Graph-Mo
石墨化钼钢
5) MoS_2
二硫化钼
1.
Study of the Tribological Behavior of Kaolinite Based Geopolymer Composites Filled with MoS_2;
二硫化钼填充高岭土基矿物聚合物复合材料的摩擦学性能研究
2.
Study on the Friction and Wear Properties of Polyimide Composites Filled with Polytetrafluoroethylene and MoS_2;
聚四氟乙烯和二硫化钼填充聚酰亚胺复合材料的摩擦磨损性能研究
3.
TRIBOLOGICAL PROPERTIES OF HYBRID CARBON FIBER AND MoS_2 REINFORCED POLYAMIDE 1010 COMPOSITES;
碳纤维和二硫化钼混杂增强尼龙复合材料的摩擦学性能研究
6) MoS2
二硫化钼
1.
Study on the Surface Oxidation Behaviour of MoS2(Ⅱ) Oxidation and Electron Transfer on the Friction Surface of MoS2;
二硫化钼表面氧化行为的研究（Ⅱ）─—二硫化钼摩擦表面氧化与电子转移的研究
2.
Three methods,the electrophoresis aggradation,brushed coating and water cooking method were presented to deposit MoS2 coatings in the material surfaces,and the deposited mechanisms were analyzed.
选用电泳沉积法、刷涂法和水煮法3种方法在材料表面制备了二硫化钼涂层,并探讨了3种方法形成涂层的机制。
3.
UNMWPE composites filled with nano-meter SiC, microfine glass bead, MoS2 and other fillers separately were prepared by means of in-situ polymerization and the properties of the composites were test.
用原位聚合法制备了分别加入纳米碳化硅、玻璃微珠、二硫化钼等填料的超高摩尔质量聚乙烯复合材料, 测试了其性能,并对原位聚合法和共混法的复合材料材料性能进行了对比。
补充资料：二硫化镓铜晶体
分子式：CuGaS2
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条