1) Primary dendrite radius
一次枝晶半径
2) primary dendritic interface
一次枝晶界
3) primary dendrite arm spacing
一次枝晶间距
1.
Effect of Al-Cu alloys diameter on thermal gradient and primary dendrite arm spacing during directional solidification;
试样直径对Al-Cu合金定向凝固温度梯度和一次枝晶间距的影响
2.
At withdrawn rate of 50μm/s,the primary dendrite arm spacing is decreased from 177μm to 150μm and 125μm when the superheating temperature is increased from 1500℃to 1640℃and 1780℃respectively,theγ′are refined in both dendrite c.
结果表明:合金熔体在1380—1650℃发生一系列的结构变化;当抽拉速率为50μm/s时,随熔体超温处理温度由1500℃升至1640和1780℃,合金一次枝晶间距由177μm分别减至150和125μm,枝干与枝间γ′相的尺寸减小,且枝间γ′相形貌变得规整。
3.
The results show that the primary dendrite arm spacing of the superheated samples at 950 and 1 050 ℃ decreases 31.
结果表明:经过950℃和1 050℃过热处理的一次枝晶间距比在750℃常规过热直接定向凝固的分别减小了31。
4) primary dendrite spacing
一次枝晶间距
1.
The calculation formulation of primary dendrite spacing for Al-4.
5%Cu合金凝固的一次枝晶间距计算公式进行了讨论,并结合定向凝固条件,研究各种条件参数对计算结果的具体影响。
2.
Several models of primary dendrite spacing for binary alloy were reviewed.
本文评述了二元系统一次枝晶间距模型的发展及特点,并验证了在多元合金系统中的适用性,结果表明,在 DD8单晶高温合金中,λ_1-G 关系符合二元系统模型,但λ_1-V 关系和二元系统模型有较大的偏离,λ_1为一次枝晶间距,G 为温度梯度,V为凝固速率。
5) primary dendritic spacing
一次枝晶间距
1.
Based on the present experimental observations and the known dendritic models, a numerical statistical model of primary dendritic spacing is first presented to the dendritic array in directional solidification at constant velocity.
从统计学随机性和动力学必然性的角度，通过对定向凝固界面形态演化过程的分析，结合现有的实验观察与已有的枝晶模型，采用统计学随机模拟的方法提出了一个在恒速定向凝固条件下列状晶生长一次枝晶间距的数值统计模型，模型所得数值结果与实验结果吻合得很好。
2.
5Cu alloy,history-dependent selection of the primary dendritic spacing is systematically investigated by the experimental method of step-variation in growth rate.
5Cu单晶进行台阶变速定向凝固实验，考察了金属合金中一次枝晶间距随凝固生长速度变化的动态响应规律。
3.
0 wt─% acetone,is directionally solidified to investigate the dynamic response of primary dendritic spacing to the variation of the solidification parameters (i.
０ｗｔ─％丙酮进行定向凝固实验，考察了一次枝晶间距随凝固控制参数（生长速度ｖ和温度梯度Ｇ）变化的动态响应规律，发现一次枝晶间距选择一个较宽的分布范围，而平均一次间距具有明显的历史相关性，将实验结果与主要理论模型进行了比较。
6) Primary Dendritic Arm Spacing
一次枝晶臂间距
补充资料：晶面间距
分子式：
CAS号：
性质：晶体实际生长出或可能生长出的每种晶面总可找到与之对应的一组等间隔而又互相平行的平面点阵或平面格子。晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵间的垂直距离，用d(h* k* l*),符号表示(下标h* k* l*是与某种晶面对应的晶面指标)。需注意，带心晶格相对于简单晶格，在晶面间距计算中要作一定修正。
CAS号：
性质：晶体实际生长出或可能生长出的每种晶面总可找到与之对应的一组等间隔而又互相平行的平面点阵或平面格子。晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵间的垂直距离，用d(h* k* l*),符号表示(下标h* k* l*是与某种晶面对应的晶面指标)。需注意，带心晶格相对于简单晶格，在晶面间距计算中要作一定修正。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条