1) Measure Methodology
源/漏区刻蚀
2) s d regions
源 漏区
4) etched structures
蚀刻结构(敏感区)
5) source/drain extension region
源/漏扩展区
6) source and drain extension
源漏扩展区
1.
Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
补充资料：水泵气蚀(见空化与空蚀)
水泵气蚀(见空化与空蚀)
shuibeng qishi水泵气蚀见空化与空蚀。
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参考词条