1) Infrared thermal imaging surveillance
红外热成像监控
3) infrared thermography
红外热成像
1.
Heat penetration in microwave hyperthermia based on infrared thermography
基于红外热成像的微波热疗透热深度
2.
Methods Infrared thermography was used to check 18 cases of the motive cervical spine stenosis at pretherapy and post-treatment,the statistical analysis was used by Paired-Samples T-Test.
目的探讨远红外热成像检查对手法治疗动力性颈椎管狭窄症临床效果的评价的意义。
3.
Objective To define the infrared thermography as an index for the clinical effect evaluation after treatment to the neck shoulder back soft tissue pain syndrome by extracorporeal shock wave in the motive cervical spine stenosis.
目的探讨远红外热成像检查对动力性颈椎管狭窄项、肩、背软组织疼痛征疗效评价的意义。
4) Infrared thermal imaging
红外热成像
1.
Skin Temperature Distribution Characteristic of Healthy Youth by Infrared Thermal Imaging;
基于红外热成像技术的健康青年体表温度分布特征
2.
Research of morphology processing in infrared thermal imaging defect detection
红外热成像缺陷检测的形态学处理方法研究
3.
Application of infrared thermal imaging in gait recognition
红外热成像在步态识别中的应用
5) infrared thermal image
红外热成像
1.
The compound material faults are examined by the infrared thermal image;
红外热成像检测复合材料的缺陷
2.
This paper elucidates the development and application conditions in infrared thermal image technology with the surrey of detect measurement for big size peculiar.
阐述了红外热成像技术的应用发展状况 ,针对大面积、特殊材料以及构件内部缺陷的检测应用 ,重点介绍了玉石胚料的红外热成像检测方
6) Infrared imaging
红外热成像
1.
Its determination using infrared imaging technique was described in detail.
根据红外探测器对物体辐射的输出响应，从实际测量的角度提出了物体发射率的一般性定义，分析了红外热成像技术进行精确测量的条件，导出了物体温度Ｔｏｂｊ、环境温度Ｔｓｕｒ、物体发射率ηｏ和测量精度ｅ之间的关系，并建立了一套用红外热成像技术精确测定ηｏ的方法，实验表明该方法可获得满意的测量结
2.
Estimation of the detection distance of an infrared imaging system is of great importance to the design level improvement,cost reduction and development and production period shortening for infrared systems.
红外热成像系统探测距离的估算,对于提高红外系统设计水平、降低成本、缩短研制和生产周期都有非常重要的作用。
补充资料：红外成像器件
将红外图像直接或间接转换成可见光图像的器件。主要有红外变像管、红外摄像管和固体成像器件等。红外变像管主要由对近红外辐射敏感的光电阴极、电子光学系统和荧光屏三部分组成(见图)。通常使用的光电阴极是银氧铯光电阴极（S1阴极），其电子逸出光电阴极所需的激发能量为11.2电子伏，相应的敏感波长的长波限为1.2微米，峰值响应波长约为0.8微米。用锑钠钾绝制备的S25 阴极,或用Ⅲ－Ⅴ族化合物（如GaAs）制备的负电子亲和势阴极，对近红外辐射也有响应。由红外辐射激发出的光电子经加速和电子光学系统的聚焦，到达荧光屏上，使之发射出亮度分布与入射的红外辐照度分布相对应的可见光图像。红外摄像管包括红外光导摄像管、硅靶摄像管和热释电摄像管。红外光导摄像管与普通光导摄像管的结构和工作原理完全相同（见摄像管），唯一的差别是红外光导摄像管采用对近红外辐射敏感的硫化铅光导靶面。硅靶摄像管则以硅二极管列阵作为靶面，光子在硅列阵上激发出光电流而形成信号。硅靶摄像管也只对近红外辐射敏感。采用热释电材料（如氘化的硫酸三甘肽）作靶面的摄像管称为热释电摄像管。投射到热释电靶面上的红外辐射图像，使靶面上各点温度发生变化，这一变化与该点所受到的辐照度成正比。温度的改变又引起靶面材料的电极化，极化的程度与温度改变的大小成正比，因而靶面上产生一个与所接收的辐照度分布完全对应的极化电荷分布。这样，光学像就转换成为电荷分布的电学像。热释电摄像管对长波红外辐射敏感，使用时要对辐射信号进行调制。固体成像器件的结构和工作原理与上述各器件不同（见电荷耦合器件）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条