4) cadmium arsenide(CaAs)
砷化镉
6) Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
补充资料：二砷化锡镉晶体
分子式：CdSnAs2
CAS号：
性质： 三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格，晶格常数α=0.60937nm，c=1.19184nm。熔点596℃。可用布里奇曼法、区熔法、定向凝固法制备。非线性光学材料。
CAS号：
性质： 三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格，晶格常数α=0.60937nm，c=1.19184nm。熔点596℃。可用布里奇曼法、区熔法、定向凝固法制备。非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条