1) cations doping occupancies
掺杂占位
2) vacancy doping
空位掺杂
1.
The influences of La vacancy doping and Y3+ doping on magnetocaloric effect were investigated.
3)2/3Ca1/3MnO3系列样品,测量不同温度下的磁化强度—磁场曲线,计算样品的磁熵变,研究La空位掺杂和Y3+离子掺杂对磁热效应的影响。
3) in-situ doping
原位掺杂
1.
Preparation of CuO-TiO_2 composite nanopowder and in-situ doping in Al_2O_3 microwave dielectric ceramics;
CuO-TiO_2复合纳米粉制备及其原位掺杂Al_2O_3微波介质陶瓷
5) B site doping
B位掺杂
1.
Focus on describing the situation of A an B site doping to Bi4Ti3O12 and the improvement of them to the ferroelectric and fatigue properties.
分析了对铁电薄膜Bi4Ti3O12进行A位、B位掺杂时,Bi4Ti3O12铁电性及疲劳特性的改善及相应的理论解释,并指出Bi4Ti3O12值得进一步深入研究的领域。
6) doping location
掺杂位置
1.
The influence of doping location of three small-molecule fluorescent dyes including dimethylquinacridone(DMQA),4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran(DCJTB),5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)on the performance of organic light emitting diodes(OLEDs)has been systematically investigated.
利用3种有机小分子荧光染料dimethylquinacridone(DMQA),4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran(DCJTB)和5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)作为掺杂剂,研究了其掺杂位置对于有机电致发光器件(OLED)性能的影响。
补充资料：掺杂
分子式：
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条