1) Ga_(2-2x)In_(2x)O_3 films
Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜
2) Sn-doped Ga_(1.4)In_(0.6)O_3 films
Sn掺杂Ga_(1.4)In_(0.6)O_3薄膜
3) 4x×2x cross
4x×2x杂交
4) Model 2x
Model 2x模型
1.
Improved Model 2x Model Based on MVC Mode;
论MVC模式改进Model 2x模型
5) 4x-2x hybrids
4x-2x杂种
6) architecture of Model 2X
Medel 2X框架
补充资料:Ga
镓
元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31
元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓
相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8
外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3
同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能: 48 kj·mol-1
第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1
单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃
原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃
常见化合物: gao ga2o ga2o3
发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国
名称由来:
拉丁文:gallia(法国)。
元素描述:
柔软的蓝白色金属。
元素来源:
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途:
用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条