1) Relaxed-SiGe substrates
硅锗弛豫衬底
2) SiGe Relaxed Virtual Substrates
弛豫锗硅虚拟衬底
3) strain relaxed SiGe buffer
SiGe弛豫衬底
1.
The SiGe/Si quantum wells were designed and fabricated on the strain relaxed SiGe buffers and the optical properties were anlysised.
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD),采用插入低温Ge层(LTGe)的方法制备Si基SiGe弛豫衬底(弛豫缓冲层),并在衬底上外延SiGe/Si多量子阱,研究其光学性质。
4) SiGe buffer layer
锗硅弛豫缓冲层
5) virtual SiGe substrates
锗硅虚衬底
6) virtual substrate
硅锗虚衬底
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条