1) semiconductor laser array
半导体激光阵列
1.
Separate heat source profile basing on structure of semiconductor laser array is applied in thermal resistance calculation of microchannel heatsink as boundary condition.
针对现有高光束质量大功率半导体激光阵列内部发光单元条宽、填充因子不断减小,腔长不断增加的发展趋势所带来的热源分布及长度变化影响器件热阻的问题,利用分离热源边界条件结合商用计算流体力学(CFD)软件FLUENT进行数值计算,获得微通道热沉热阻随阵列器件发光单元条宽、空间位置变化关系以及不同阵列腔长对应的微通道优化长度。
2) laser diode array
半导体激光列阵
1.
High output power was achieved by using the coupling technique of a laser diode array(LDA) and a micro-lensed fiber.
根据808 nm大功率半导体激光列阵(LDA)的远场光场的分布特点,利用多模光纤柱透镜和光束转换装置对808 nm半导体激光列阵的发散角进行压缩整形,通过聚焦准直透镜将激光束耦合进入芯径为400μm的光纤,实现了30W的功率输出,其中最大耦合效率大于80%,光纤的数值孔径(NA)为0。
2.
The principle of this technique is as follows: first linearly arranged beams are changed into circularly arranged beams by a fiber array so that the beam symmetry of a laser diode array can be greatly improved;then the circular laser beam from the fiber array is coupled into a single thin fiber by a micro-lens to reduce the beam diameter and improve its brightness.
首先借助光纤列阵实现光束由线性排列到圆形排列的转换,从而有效提高半导体激光列阵输出光束的对称性;然后通过微透镜将光纤列阵输出的圆对称光束耦合进入一根较细的光纤,以进一步压缩光斑直径并提高光束亮度。
3.
High-power laser diode arrays are difficult to use directly in such fields as military, industry, and medicine because of their extremely asymmetric divergent beams (θ_x≈5°～10° and θ_y≈20°～35° ), i.
半导体激光列阵的输出光束有较大的发散角和较强的不对称性,极大地限制了其在各领域中的应用。
3) semiconductor array laser
半导体阵列激光
4) semiconductor laser array
半导体激光器阵列
1.
The steady state temperature distribution of the high power semiconductor laser array is simulated using Ansys software,and the temperature changes of the in-house made semiconductor laser array is tested.
用Ansys软件模拟了大功率半导体激光器阵列的稳态温度分布,并对自行研制的半导体激光器阵列的温度变化进行了测试,结果表明理论计算与实验结果基本吻合。
5) semiconductor laser diode array
半导体激光器阵列
1.
Optical design of collimating and focusing optical system for semiconductor laser diode array;
半导体激光器阵列光束准直和聚焦系统设计
6) Laser Diode Arrays(LDA)
半导体激光器阵列
1.
In order to design the beam-shaping system of Laser Diode Arrays(LDA) and to evaluate the beam quality of LDA availably,effects of non-luminescence of Bar on beam properties of LDA were studied.
为了便于对半导体激光器阵列(LDA)光束整形系统的设计和光束质量的评价,研究了目前LDA应用时普遍存在的问题,即Bar条不发光现象对LDA光强分布等特性的影响。
2.
Based on the three-plane waveguide theory,a simplified fast axis divergence angle(FADA) model of three bars laser diode arrays(LDA) is presented.
以三层平板理论为基础,得出半导体激光器阵列(LDA)快轴方向发散角的简化模型,从该模型中可以看出,对LDA的快轴发散角的影响因素主要有:单个发光单元的波导结构(包括有源层厚度、折射率)、波长和bar间距。
补充资料：半导体激光泵浦的激光晶体
半导体激光泵浦的激光晶体
LD pumped laser crystal
半导体激光泵浦的激光晶体LD PumPed lasercrystal适用于半导体二极管作泵浦源的激光晶体。传统的固体激光器一般用闪光灯泵浦，由于闪光灯的发光区域宽，只有一部分能量被吸收后转换成激光，大部分转换成热量，使工作物质温度上升，恶化了输出激光束的质量。半导体激光器输出的激光谱线窄(一般为几纳米)，选择合适的半导体激光器，使其激光光谱与某种固体激光材料的吸收光谱匹配，即可达到高效泵浦，大大减轻固体工作物质的热负荷。 因为半导体激光器光泵区域小，需用的晶体尺寸也小，因此要求基质晶体内可掺入的激活离子浓度要高，且不产生浓度碎灭。此外，要求与光泵的半导体激光波长相匹配的晶体的吸收带要宽，吸收系数要大;要有低的阑值功率;Q开关运转时，荧光寿命要长。当泵浦光源从闪光灯改变为半导体激光二极管时，对被泵浦的激光晶体产生了不同的要求。用闪光灯泵浦时，对材料的热性能和机械性能有严格要求，而半导体泵浦则更注重材料的光谱性能。 在已使用的激光晶体中，掺钱石榴石(Nd:YAG)晶体的阑值功率低，光学质量高，是应用于半导体激光光泵的固体激光器的主要材料。由于Nd3+离子在基质晶体中受分凝系数的限制，Nd3+离子浓度不能太高，所以一些氟化物和钨、钥酸盐晶体等掺杂浓度高，激光效率高，荧光寿命长，有可能成为半导体激光泵浦的后选晶体。 用半导体泵浦可制成效率高、功率和频率稳定、激光束质量好、寿命长的全固化激光器，并经各种频率转换技术，可发展成各种波长、各种模式、各种运转方式的激光器，这种激光器将在很大范围内取代已有的各类固体、液体和气体激光器。 (沈鸿元)
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参考词条