1) secondary electron emission factor
次级电子发射系数
2) SEE coefficient(δ)
次级发射系数
4) Secondary emitter
次级电子发射体
5) The effective secondary electron emission coefficient
有效二次电子发射系数
6) secondary electron emission coefficient
二次电子发射系数
1.
Theoretical design of high secondary electron emission coefficient emitter GaAs;
高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计
2.
The measurement of secondary electron emission coefficient of MgO;
测量氧化镁的二次电子发射系数
3.
Relation among energy exponent,incident energy and secondary electron emission coefficient of metal at high incident electron energy
金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
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