1) secondary emission
次级发射
1.
Study on the secondary emission properties and microstructure of rare earth molybdenum cathode sintered by spark plasma sintering (SPS);
稀土钼SPS烧结体阴极的次级发射性能和微观结构研究
2.
The rare earth oxide molybdenum emitters were processed by different methods, and the secondary emission coefficients of those materials were measured with electron gun method.
通过不同的工艺制备了稀土氧化物 钼(RE2O3 Mo)阴极材料的次级发射体,测定了材料的次级发射性能,采用SEM和能谱分析等手段研究了材料的微观结构。
3.
The powder metallurgy method was adopted to prepare the new type secondary emission material.
采用粉末冶金方法制备了新型La2O3-Gd2O3-Mo次级发射材料。
2) secondary emission stage
次级发射级
3) secondary emission tube
次级发射管;二次发射管
4) second emission cathode
次级发射阴极
6) Secondary emitter
次级电子发射体
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
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