1) transmission high energy electron diffraction
透射高能电子衍射
2) RHEED
高能电子衍射
1.
The interface structures of LaAlO_3/BaTiO_3 super- lattice is investigated by using small-angle X-ray diffraction(SAXRD)and reflection high-energy electron diffraction (RHEED)technologies.
首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角 X 射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等。
3) RHEED
高能电子衍射仪
1.
The principle of reflect high energy electron diffraction(RHEED)and the inverse proportion relationship between the surface atomic distance of semiconductor films and the images of RHEED were introduced.
介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。
5) transmission electron diffraction
透射电子衍射
6) RHEED
反射高能电子衍射
1.
The crystal polytypes and luminescent properties of the film were characterized by reflection high energy electron diffraction (RHEED) and photoluminescence (PL), respectively.
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征。
2.
The growth process of the films was in situ monitored by reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。
3.
In this paper, the principle of reflection high energy electron diffraction (RHEED) is introduced.
本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。
补充资料：透射
透射
homoiogj
透射〔俪.映柑;roMo月or，:1，射影几何学中的 射影平面的一个自同构，它使得一给定直线(透射轴(homo】ogy哪”的所有点保持不动，且把恰好通过一固定点(透射中心(hotnofogy centre))的所有直线映射到它们自身.如果透射中心不在透射轴上，那么该透射就称作是非奇异的(non-singu!ar)(或双曲的(hyl姆而lic”;如果透射中心在透射轴上，则称其为奇导的(sing以ar)(或粤物的(pa功加lic))·通常一个透射被一个中心、一条轴和在该透射之下对应的一对点所确定.在仿射平面上，具有有限中心和无穷远轴的透射是一位似;具有无穷远中心和不通过该中心的有限轴的透射是一向轴的扩张或收缩;中心和轴两者都是无穷远的透射称为一平行移动;具有有限轴和无穷远中心的奇异透射是一个移位.【补注】透射也称为中心直射变换(centml colli洲乏-tion)，双曲透射称为膨胀(dilation)，抛物透射称为伸缩(比tion)或平延(t份nS戏tion).
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条