1) SHEED
扫描高能电子衍射
2) RHEED
高能电子衍射
1.
The interface structures of LaAlO_3/BaTiO_3 super- lattice is investigated by using small-angle X-ray diffraction(SAXRD)and reflection high-energy electron diffraction (RHEED)technologies.
首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角 X 射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等。
3) RHEED
高能电子衍射仪
1.
The principle of reflect high energy electron diffraction(RHEED)and the inverse proportion relationship between the surface atomic distance of semiconductor films and the images of RHEED were introduced.
介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。
6) RHEED
反射高能电子衍射
1.
The crystal polytypes and luminescent properties of the film were characterized by reflection high energy electron diffraction (RHEED) and photoluminescence (PL), respectively.
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征。
2.
The growth process of the films was in situ monitored by reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。
3.
In this paper, the principle of reflection high energy electron diffraction (RHEED) is introduced.
本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。
补充资料：反射高能电子衍射
反射高能电子衍射是高能电子衍射的一种工作模式。它将能量为10～50keV的单能电子掠射 (1°～3°)到晶体表面，在向前散射方向收集电子束，或将衍射束显示于荧光屏（见图）。
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条