1) antimony arsenide
砷化锑
2) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
3) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
4) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
6) Flotation
[英][fləʊ'teɪʃn] [美][flo'teʃən]
高砷硫化银锑矿
1.
Flotation Behavior of an Antimony-Silver Sulfide Ore Containing Rich Arsenic;
广东某高砷硫化银锑矿石的浮选试验研究
补充资料：砷锑化镓铟
分子式：InxGa1-xSbyAs1-y o≤x≤1 o≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。禁带宽度0.1～1.42eV。为制作2～4μm红外发光和激光器件的材料。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。禁带宽度0.1～1.42eV。为制作2～4μm红外发光和激光器件的材料。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条