说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 肖克莱,W.B.
1)  William Bradford Shockley (1910~  )
肖克莱,W.B.
2)  W.B.Shockley
W.B.肖克莱
1.
Extraordinary Creativity:W.B.Shockley the Father of Transistor——on the 60th Anniversary of the Invention of Transistor;
超凡的创造力:晶体管之父W.B.肖克莱——纪念晶体管发明60周年
3)  W.B.Shockley
肖克莱
4)  shockley equation
肖克莱方程
5)  shockley dislocation
肖克莱位错
6)  Black Scholes model
布莱克-肖模型
补充资料:肖克莱,W.B.
      美国物理学家。1910年2月13日生于英国伦敦。1932年获加利福尼亚理工学院学士学位,1936年获马萨诸塞州理工学院博士学位。1950年后,宾夕法尼亚大学等三家高等学校授予他荣誉理学博士称号。1936~1942年在贝尔电话实验室工作,1942~1945年在美国海军反潜作战研究小组任职,1945~1954年任贝尔电话实验室固体物理研究所主任,1954~1955年任晶体管物理学研究主任。1958~1960年任肖克莱晶体管公司经理。 1960~1965年在克莱韦特晶体管公司肖克莱晶体管部任顾问。1965~1975年任加利福尼亚理工学院客座教授、斯坦福大学工程科学与应用科学教授。肖克莱研究的领域包括固体能带、铁磁畴、金属塑性、晶粒边界理论、有序-无序合金、半导体理论应用和电磁理论等,获专利90多项,发表论文逾百篇。1945年夏,肖克莱提出开展半导体基础研究的建议,1945年下半年,贝尔电话实验室成立了以肖克莱为组长,以肖克莱、J.巴丁、W.H.布喇顿为核心的固体物理学研究小组。1947年12月23日发明点接触晶体管,1948年6月贝尔电话实验室报道了这一发明,并申请专利。1949年肖克莱提出结型晶体管理论,1950年由贝尔电话实验室M.斯帕克斯和G.L.皮尔逊制出结型晶体管。肖克莱、巴丁、布喇顿共同获得1956年度诺贝尔奖金物理学奖。肖克莱是美国艺术与科学学院和电气与电子工程师协会高级会员,曾获利布曼奖金、巴克利奖金、康斯托克奖金、霍利奖章。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条