1) Schockley diode
肖克莱二极管，PNPN二极管，四层二极管
2) PNPN(four-layer) diode
PNPN(四层)二极管
3) Shockly diode
肖克莱二极管
4) P-N-P-N diode
PNPN型二极管
5) four-layer diode
四层二极管
6) diode-tetrode
二极四极管
补充资料：肖克莱
| 肖克莱（1910～ ） Shockley，William Bradford 美国物理学家。1910年2月13日生于伦敦。1932年获加利福尼亚理工学院学士学位，1936年获麻省理工学院博士学位。1950年后，宾夕法尼亚大学等3家高等学校授予他荣誉理学博士称号。1936年起先后在贝尔电话实验室、美国海军反潜作战研究小组任职，1945年起历任贝尔电话实验室固体物理研究所主任、晶体管物理学研究主任、肖克莱晶体管公司经理、克莱韦特晶体管公司肖克莱晶体管部顾问、加利福尼亚理工学院客座教授、斯坦福大学工程科学与应用科学教授。肖克莱研究的领域包括固体能带、铁磁畴、金 属塑性、晶粒边界理论、有序 -无序合金、半导体理论应用和电磁理论等，获专利90多项，发表论文逾百篇。1945年夏，肖克莱提出开展半导体基础研究的建议，1945年下半年，贝尔电话实验室成立了以肖克莱为组长，以肖克莱、J.巴丁、W.H.布喇顿为核心的固体物理学研究小组。1947年12月23日发明点接触晶体管，1948年6月贝尔电话实验室报道了这一发明，并申请专利。1949年肖克莱提出结型晶体管理论 ，1950年由贝尔电话实验室M.斯帕克斯和G.L.皮尔逊制出结型晶体管。肖克莱、巴丁、布喇顿共同获得1956年度诺贝尔物理学奖。肖克莱是美国艺术与科学学院和电气与电子工程师协会高级会员，曾获利布曼奖金、巴克利奖金、康斯托克奖金、霍利奖章。 |
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参考词条