1) Transistor Factory
晶体管厂
2) transistor plant
半导体厂，晶体管厂
3) transistor maker
晶体管制造厂
4) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
晶体管
1.
Accurate Measurement of Low-Frequency Noise Model Parameters of Transistor;
晶体管低频噪声模型参数的精确测量
2.
Computer Aided Design of Transistors;
晶体管的计算机辅助设计
3.
A power equipment of transistor type for high frequency heating;
晶体管式高频加热电源装置
5) MOS transistor
MOS晶体管
1.
A kind of intelligent PV module consisting of MOS transistor,MCU,and infrared device is developed.
设计了一种基于MOS晶体管、单片机、红外收发装置的智能光伏组件,其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态,并且单片机把得到的总电量值保存在内部EEPROM中,需要了解组件自从安装后的发电总量时,用手持抄表器很方便地通过组件上的红外收发模块得到EEPROM中的数据。
2.
Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。
3.
Both nMOS and pMOS transistors with two-edged and multi-finger layouts are fabricated in a standard commercial 0.
在商用标准0·6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性。
6) Phototransistor
[英][,fəutəutræn'zistə] [美][,fototræn'zɪstɚ]
光晶体管
1.
Study of the Heterogeneous Phototransistor(HPT) with a Wide-gap Emitter;
宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究
补充资料：半导体材料厂设计
半导体材料厂设计
engineering design of semiconducting materials plant
bandaotl eailiaoehang sheji半导体材料厂设计(engineering design ofsemieondueting materials plant)采用化学及物理冶金方法，生产导电性能略低于金属的材料的工厂设计。半导体材料的电阻率介于金属导体(10一5~10一“Q·cm)和绝缘体(10“~10，5口.cm)之间，按其结构不同分为元素半导体(硅、锗半导体)和化合物半导体(以砷化稼、磷化稼、磷化锢等I一v族化合物半导体为主)，前者产量占半导体材料总产量的大部分。 半导体材料厂设计范围主要包括工业硅厂设计、硅材扦厂设计和锗厂设计。工业硅为制取半导体硅材料的主要原料。 简史工业硅厂的建设始于苏联(1938年)和法国(194。年)，二氧化锗的工业生产始于德国(1930年)，20世纪40年代末和50年代初，美国开始锗和硅半导体材料的工业化生产。70年代以后，锗在半导体材料方面的应用大部分为硅材料所取代，锗生产的重点已转向红外光学材料和催化剂等方面。半导体锗在锗产品中已不占主要地位。90年代初在美国半导体锗仅占其锗总需求量的7%，新设计的锗厂多非单纯的半导体材料厂。 1970年前后，最重要的半导体化合物砷化稼在美、日等国开始工业生产。 中国工业硅、半导体锗及硅材料厂的设计建设均始于50年代后期，半导体材料厂的建设以硅材料厂为主。 设计主要内容为:产品与设计规模和工艺流程， 产品与设计规模半导体材料厂的主要产品为多晶、单晶及片(硅片、锗片或砷化稼片等)，锗厂产品一般不仅限于半导体材料，其主要产品还有用于光导纤维的二氧化锗、催化剂的四氛化锗和红外光学器件的锗片。 工业硅厂的主要产品为用于硅铝合金的工业硅，其余重要产品还有用于硅钢、有机硅、耐高温材料等方面的各级工业硅产品。半导体材料用工业硅只占其总产量的小部分。 硅材料厂可包括或不包括硅多晶生产部分，硅多晶集中在化工厂附近建厂，可以充分利用化工生产的抓化氢和达到适当的经济规模。硅材料厂设计包括多晶部分时，除应与硅片产量的规模相平衡外，亦可根据市场需要将部分多晶产品作为商品出售。 锗厂及工业硅厂的设计规模，一般均根据其多种产品的市场需要综合确定。 工艺流程半导体材料生产工艺一般均包括高纯金属(多晶)制取、单晶拉制和片加工三个部分。高纯金属制取包括原料的化学提纯和金属还原过程，化合物半导体一般由两种以上的高纯金属合成，单晶拉制通常采用直拉和区熔两类方法。片加工包括切片、磨片和抛光过程。 技术特点半导体材料为高纯产品，对生产环境的洁净度要求高。工业硅的生产主要采用电炉熔炼，电力供应须充足、可靠，且价格低廉。 (俞集良)
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参考词条