1) CMOS transistor
CMOS晶体管
2) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
晶体管
1.
Accurate Measurement of Low-Frequency Noise Model Parameters of Transistor;
晶体管低频噪声模型参数的精确测量
2.
Computer Aided Design of Transistors;
晶体管的计算机辅助设计
3.
A power equipment of transistor type for high frequency heating;
晶体管式高频加热电源装置
3) MOS transistor
MOS晶体管
1.
A kind of intelligent PV module consisting of MOS transistor,MCU,and infrared device is developed.
设计了一种基于MOS晶体管、单片机、红外收发装置的智能光伏组件,其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态,并且单片机把得到的总电量值保存在内部EEPROM中,需要了解组件自从安装后的发电总量时,用手持抄表器很方便地通过组件上的红外收发模块得到EEPROM中的数据。
2.
Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。
3.
Both nMOS and pMOS transistors with two-edged and multi-finger layouts are fabricated in a standard commercial 0.
在商用标准0·6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性。
4) Phototransistor
[英][,fəutəutræn'zistə] [美][,fototræn'zɪstɚ]
光晶体管
1.
Study of the Heterogeneous Phototransistor(HPT) with a Wide-gap Emitter;
宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究
6) transistors
晶体管
1.
Research and development of carbon-nanotube transistors and related integration;
基于碳纳米管的晶体管及其集成的研究进展
2.
Silicon nanowire is an important one-dimensional semiconductor nanoscale material and is very promising in application of nanoscale devices,such as field effect transistors with good properties,single electron detector and field emission display devices.
硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备。
3.
s:Several new devices which are the candidates of post CMOS devices possibly were introduced,including resonant tunneling transistors,single,electron transistors,CNTFETs,molecular devices and spin transistors.
介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条