1) digital single-crystal diffractometer
数字式单晶衍射计
2) single crystal diffractometer
单晶衍射计
3) analog single-crystal diffractometer
模拟单晶衍射计
4) X-ray diffraction
单晶衍射
1.
The compound(2) was characterized by elemental analysis,1H NMR,13C NMR apectra and X-ray diffraction patterns.
由二(三甲基硅基)甲基锂(1)与二氯苯基膦经一步反应合成了二(三甲基硅基)甲基-氯代-苯基膦化合物(2),并通过1H NMR、13C NMR和X-射线单晶衍射等手段进行了表征,结果表明,化合物(2)属三斜晶系,Pī空间群,a=8。
2.
Compound(2) was characterized by elemental analysis,~1H NMR and ()~(13)C NMR apectra,X-ray diffraction patterns.
由二 (三甲基硅基 )甲基锂 (1)与一氯二苯基膦经一步反应合成了二 (三甲基硅基 ) -二苯基膦基 -甲烷化合物(2 ) ,并通过 1 H NMR、1 3C NMR、元素分析和 X-射线单晶衍射等手段进行了表征 ,结果表明 ,化合物 (2 )属三斜晶系 ,P- 1空间群 ,a=8。
6) X-ray crystallographic analysis
单晶X-衍射
1.
X-ray crystallographic analysis and revision of NMR spectral assignments for rhetsinine
瑞特西宁的单晶X-衍射及其~1H NMR、~(13)C NMR数据的全归属
补充资料：砷化镓单晶
分子式：GaAs
CAS号：
性质：周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度5.307g/cm3。熔点1238℃。导带为双能谷结构，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.43eV。本征载流子浓度1.1×1013/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率为0.8和(1～3)×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼和直拉法制备单晶，用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备pn结、异质结、肖特基结，用分子束外延等方法制备超晶格材料。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料，利用其双能谷结构可制作耿氏器件
CAS号：
性质：周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度5.307g/cm3。熔点1238℃。导带为双能谷结构，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.43eV。本征载流子浓度1.1×1013/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率为0.8和(1～3)×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼和直拉法制备单晶，用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备pn结、异质结、肖特基结，用分子束外延等方法制备超晶格材料。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料，利用其双能谷结构可制作耿氏器件
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条