1) spaci tor
空间电荷晶体管
2) spacistor
['speisistə]
空间电荷管
3) Grain boundary electrical region
晶界空间电荷区
1.
Grain boundary electrical region is produced in varistor, The cofficient of nonlinear resistivity is computed according to the current-controlling-charge theory, and computation results are agree with experiments.
Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性。
4) chare injection transistor
电荷注入晶体管
1.
To visualize the relationship between the collector current and source-drain voltage in the SiGe/Si chare injection transistor (CHINT), the mathematical model of this device is set up by using the tunnel model of two-dimensional hole gas(2DHG)in SiGe/Si quantum well.
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1。
5) surface charge transistor
表面电荷晶体管
6) stored charge transistor
存储电荷晶体管
补充资料：空间电荷层
分子式：
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条