1) point-contact photodiode
触光电二极管
2) photoelectric diode
光电二极管
1.
The selection of quadrant photoelectric diode on laser guidance;
激光制导四象限光电二极管的选择
2.
A novel, simple analytical procedure for determination of chromium(Ⅲ) in environmental samples with photoelectric diode detector is presented successfully, which is based on the fact that which is based on the principle that the system of luminol-H_2O_2-Cr(Ⅲ) can yield strong chemiluminescence The single analyzing time is less than 1 min.
根据Luminol H2O2 Cr(Ⅲ)体系在碱性条件下产生很强的化学发光的原理,用光电二极管作检测器测定环境样品中的Cr(Ⅲ)。
3.
Based on the model of calibration,an adjusting method for the calibration of the sensor is designed by using the induction of photoelectric diode to light intensity to adjust,and using standard tool to calibrate.
综合考虑采用公式法,基于标定模型给出了一种标定调整方法,即利用光电二极管对光强的感应进行调整,借助于标准具进行标定。
3) Photodiode
[英]['fəutəu,di,əud] [美]['foto,dɪ,od]
光电二极管
1.
A long wavelength photodiode for 10 Gbit/s applications;
基于10Gbit/s应用长波长光电二极管
2.
Development of instrument to measure properties of weak light of photodiode;
光电二极管弱光光敏特性测试仪的开发
3.
Temperature characteristics of Au/n-4H-SiC Schottky UV photodiode;
Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性
4) Photodiodes
光电二极管
1.
The Measurement of Dark Current Temperature Dependence of Photodiodes;
光电二极管暗电流温度特性的测量
2.
The influence of thermal treatment on Si 1-x Ge x/Si multiple-quantum wells (MQW) p-i-n photodiodes has been investigated by photocurrent spectroscopy combined with X-ray double crystal diffraction.
利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 。
3.
15 /Si heterojunction pin mesa photodiodes are fabricated.
1 5 - (p)Si层 ,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结 pin台面光电二极管。
5) photodiode
[英]['fəutəu,di,əud] [美]['foto,dɪ,od]
光电二极管，光敏二极管
6) PIN photodiode
PIN 光电二极管[光]
补充资料：光电二极管
光电二极管
photodiode
g日ongd一on erJ一g目on光电二极管(photodiode)在两个半导体之间的PN结附近或半导体与金属之间的接触面附近吸收辐射，而引起与电流方向相应的电阻或电压的变化的光电半导体器件。它是结型器件，用硅或锗作材料采用平面型结构制成。光谱范围:硅光电二极管为。.6一1拜m;锗光电二极管为0.5一1.7拜m。用作光电导器件┌─────────────────────┐│ │├─────────────────────┤│ │├─────────────────────┤│ 1 ││ 门│└─────────────────────┘兰图1光电二极管特性时其PN结须反向偏置，光照激发所产生的载流子形成反向电流。其输出电流为拜A级，与光照强度成正比，灵敏度典型值是0.1拜A/Lxo图1是其特性曲线，图形符号如图2所示。光电二极管常用于光信息的检测和激光信号的解调。 光电二极管包括PN结型、PIN型、雪崩型等类型。 PN结型(PD)图3为其结构示意图。当PN结受到能量大于禁带宽度的光照时，价带中的电子吸收光能后跃迁到导带成为自由电子，伺时在价带中留下空穴，这些电子和空穴即为光生载流子。在结电场作用下，耗尽区的光生载流子分别向P区和N区扩散，使P区过剩空穴、N区多电子，建立起P正N负图2光电二极管图形符 号的电场，阻止载流子的继续扩散。当受光照的光电二极┌──┐│ N │└──┘图3光电二极管的结构管加反向电压后，在内外两电场共同作用下，光生载流子参与导电，从而形成了反向的电流。它随人射光的强度变化而改变一，使光信号变成电流信号，响应时间为10一75。不受光照时PN结反向漏电流则为暗电流。根据衬底材料的不同光电二极管分为ZDU和ZCU两种型号。ZDU是以P型硅为衬底，设有一个环极，使用时其电位始终保持高于光电二极管的负极电位，以减少暗电流和噪声(图4)。ZcU是以N型硅为衬┌───┬───┐│L处 │岁 ││丁Ucc │环极! ││厂 │ │└───┴───┘图4 ZDU型管电路底，不需设置环极，只有两个引出线。
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参考词条