1) Si-PIN photodiode
Si-PIN光电二极管
2) Si-PIN
Si-PIN二极管
3) PIN photodiode
PIN 光电二极管[光]
4) PIN photodiode
PIN硅光电二极管
1.
Experimental study of PIN photodiode for y ray detection;
PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究
5) PIN junction photodiode
PIN结光电二极管
1.
Studying of the interaction process between high energy pulse laser using millisecond pulse width and a PIN junction photodiode is presented.
采用脉宽为毫秒的高能脉冲激光与PIN结光电二极管进行相互作用,建立了包含热源项的导热方程,并考虑了热物性参数随温度变化的情况。
6) PIN photodiode
PIN光电二极管
1.
Base on the feasible analyse and the preferences of PIN photodiode used in PET photon detector, by choosing proper configuration, material and technology parameters, the performance of PIN photodiode illuminated by 480 nm incident light is improved.
根据PIN用于实现PET光子探测的可行性分析及探测过程对PIN管的要求 ,在理论分析的基础上 ,优化设计了工作于 480nm入射光波长的PIN光电二极管的结构参数、材料参数以及工艺参数 ,研制的样管达到了可行性分析的指标要求 ,而且PIN管作为光子探测器件具有结构简单 ,性能价格比高的优
2.
Ion implantation,annealing at low temperature and processing of slowly droping of the temperature,and gettering process of P on the backside are used to fabricate a new type of PIN photodiodes on silicon wafer of 300μm thickness with high resistivity.
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等性能 。
3.
By adopting the technology of both\|side illuminated and side\|face readout schemes, quantum efficiency and energy resolution of PIN photodiode are improved, and collection ratio of the available scintillation light is increased.
通过采用双面入射技术和侧面读出技术 ,提高了 PIN光电二极管的量子效率和能量分辨率 ,增加了可用光的收集率 。
补充资料：光电管和光电倍增管
基于外光电效应制成的光电器件。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条