1) current gain
电流增体
2) transistor current gain
晶体管电流增益
3) current multiplication type transistor
电流倍增型晶体管
4) pressurized hydraulic fluid
增压流体
5) intensifying current
电流增强
1.
The principle of the phase shifted full bridge PWM soft switch inverter spot welding power with intensifying current by using assistance network is analyzed in detail,its power circuit is simulated by use of the Pspice,a circuit simulating software.
详细分析了采用辅助网络的电流增强型移相控制PWM全桥软开关点焊逆变电源的工作原理,通过Pspice电路仿真软件,对其主电路进行了仿真研究,并依据仿真结果构建了实验系统。
6) current gain
电流增益
1.
SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of 77K;
77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT
2.
Analysis of Current Gain in Al_(0.3) Ga_(0.22) In_(0.48) P/GaAs HBT at High Temperature\+*;
高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析
3.
In Dartington transistor,the current gain and the distribution of the collectorcurrents of transistors in each stage are changed due to the introduction of stable resist-ance.
在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条