1) B-horizon
B层;淀积层
2) illuvial layers of CaCO 3
CaCO_3淀积层
3) 2 illuvial layers
双层淀积
1.
On the basis of the materials in chemical analysis and investigating in field, 4 kinds of 2 illuvial layers have been asertained in this paper.
本文确定了黄土中古土壤有四种双层淀积类型。
5) laminar deposition
层状淀积
6) atomic layer deposition
原子层淀积
1.
Preparing aluminum nitride thin film by atomic layer deposition
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用
2.
Density functional theory was employed to investigate atomic layer deposition(ALD)mecha-nism of zirconia on Si(100)-2×1 surface with single and double hydroxyl groups.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应。
3.
And atomic layer deposition(ALD) has become more and more popular due to its precise thickness control in film deposition.
而原子层淀积(ALD)工艺由于其精确的厚度控制,在high-k栅介质的集成工艺上受到了广泛关注。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条