1) pair of faults
层错对
2) right-wrong
对错
1.
From the point of view of ontology, the problem of right-wrong and morally good-evil which closely relates to the morality phenomenon belongs to the different gradients of moral category.
从本体论意义视域看,与道德现象密切相关的“对错”与“善恶”问题属于道德范畴的不同梯度,二者有着明显区别。
3) stacking fault
层错
1.
Z-contrast imaging investigation of stacking faults in Cr_2Ta Laves phase;
Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究
2.
Energy calculation of the antiphase boundary and stacking fault in intermetallic compound of Ni_3Al by MAEAM;
金属间化合物Ni_3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算
3.
Planar defects can be twins/bicrystals,stacking faults and/or interstitial stacking layer introduced by impurity atoms.
面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层。
4) stack fault
层错
1.
The dislocation in γ′ Fe\-4N phase in the plasma nitrided layer and the imperfect dislocations on either side of the stack faults have been analyzed and determined by TEM diffraction method.
用透射电镜衍衬方法测定了稀土催渗离子渗氮层γ′ Fe4 N相内位错环及层错的类型。
5) stacking faults
层错
1.
Study on heat treatment induced stacking faults in CdZnTe crystals;
CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究
2.
TEM and HREM observations of the MoSi2-SiC composite synthesised in situ reveal that large amounts of dislocations exist in the MoSi2 matrix specially near the interfaces between MoSi2 math and the SiC particles, and the SiC particles typically contain defects including twins and stacking faults.
ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错。
3.
It was found that there exist prismatic dislocations,stacking faults,array of dislocations and dislocation network.
研究发现金刚石中存在层错、棱柱位错、位错列和位错网络等晶体缺陷。
6) fault
[英][fɔ:lt] [美][fɔlt]
层错
1.
A growth mode of lower bainite by shearing on the stacking fault face of austenite is proposed.
认为台阶的存在并不能证明扩散控制台阶长大机制，提出了贝氏体相变过程中新相沿母相奥氏体层错面切变增厚的观点。
2.
A large number of faults was observed in quasi lower bainitic midribs.
观察到交叉型、中脊型类马氏体形貌贝氏体，发现贝氏体中脊中有大量层错。
3.
The results show that the annealing twins and the massive fault are found after annealing, moreover with the ascensionof temperature, the grain size, annealing twins quantity and the fault density increase also.
结果表明:退火后有退火孪晶和大量的层错存在,而且随温度的升高,晶粒尺寸变大、孪晶的数量和层错密度也随晶粒尺寸的增加而增大;此外孪晶移动到边界处会受到阻碍,形成非共格的孪晶界面。
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
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参考词条