1) staggered floor
错层
1.
Analysis of seismic response on staggered floor frame structure;
错层框架的地震反应分析
2.
Dynamic Characteristics Analysis of Reinforced Concrete Structure with Staggered Floor;
钢筋混凝土错层结构动力特性分析
3) split-level
[英]['splɪt'levəl] [美]['splɪt'lɛvəl]
错层
1.
Based on the research on several forms commonly used in the steel structure split-level beam,are compared the result on special shape beam of a certain steel structure store bearing concentrated load.
对于钢结构错层处梁的常用几种形式的研究中,针对某钢结构错层处异型梁按简支集中荷载作用时进行计算对比,发现工字形梁上加T形梁强度简化计算与考虑整个截面强度计算存在较大差异。
2.
Combined with engineering examples,the structure was analyzed with SATWE and ETABS(America) software,the treating method of split-level structure was introduced,the steel reinforced concrete performances and matters need attention in design were discussed,so as to complete structural design of high-rise structure.
结合工程实例,采用SATWE及ETABS(美国)两种软件对结构进行了分析,介绍了错层结构的处理方法,讨论了型钢混凝土的性能及其设计中需要注意的问题,以完善高层建筑结构设计。
4) stacking fault
层错
1.
Z-contrast imaging investigation of stacking faults in Cr_2Ta Laves phase;
Cr_2Ta中层错的Z衬度像研究
2.
Energy calculation of the antiphase boundary and stacking fault in intermetallic compound of Ni_3Al by MAEAM;
金属间化合物Ni_3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算
3.
Planar defects can be twins/bicrystals,stacking faults and/or interstitial stacking layer introduced by impurity atoms.
面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层。
5) stack fault
层错
1.
The dislocation in γ′ Fe\-4N phase in the plasma nitrided layer and the imperfect dislocations on either side of the stack faults have been analyzed and determined by TEM diffraction method.
用透射电镜衍衬方法测定了稀土催渗离子渗氮层γ′ Fe4 N相内位错环及层错的类型。
6) stacking faults
层错
1.
Study on heat treatment induced stacking faults in CdZnTe crystals;
CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究
2.
TEM and HREM observations of the MoSi2-SiC composite synthesised in situ reveal that large amounts of dislocations exist in the MoSi2 matrix specially near the interfaces between MoSi2 math and the SiC particles, and the SiC particles typically contain defects including twins and stacking faults.
ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错。
3.
It was found that there exist prismatic dislocations,stacking faults,array of dislocations and dislocation network.
研究发现金刚石中存在层错、棱柱位错、位错列和位错网络等晶体缺陷。
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
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参考词条