1) threshold voltage
临阈电压
2) threshold voltage
阈电压，临界电压
3) threshold voltage
阈值电压
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs;
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
3.
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects;
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
4) Threshold voltage
阈电压
1.
A 2D analytical electrostatics analysis for the cross-section of a FinFET (or tri-gate MOSFET) is performed to calculate the threshold voltage.
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式。
2.
The analytical solutions to 1D Schrdinger equation (in depth direction) in double gate (DG) MOSFETs are derived to calculate electron density and threshold voltage.
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压。
3.
Short channel effect of hot electron injection was taken into consideration in the threshold voltage model of submicrometer buried channel pMOSFET,so the model can be used as model for nMOSFET if symbols were changed correspondly.
亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 。
5) Voltage threshold
电压阈值
6) grid threshold voltage
栅阈电压
补充资料：嗅觉阈值
分子式：
CAS号：
性质：臭味的最低嗅知浓度。由经过特殊训练的人员，在特别配制的空气中，依靠嗅觉来判断。测定时，一般必须有不少于5人同时进行判断，并用平均浓度(10-6)表示。嗅觉阈值有感觉阈值(也叫做绝对阈值)和识别阈值两种。感觉阈值是虽然不知是什么性质的气味，但可以感觉到有气味的最小浓度。识别阈值是可以感觉到是什么气味的最小浓度。一般后者总是高于前者。如氨的感觉阈值为0.1，识别阈值为0.6；硫化氢分别为0.0005和0.006；甲硫醇分别为0.0001和0.0007。嗅觉阈值是研究和评价气味常用的最重要的参数。
CAS号：
性质：臭味的最低嗅知浓度。由经过特殊训练的人员，在特别配制的空气中，依靠嗅觉来判断。测定时，一般必须有不少于5人同时进行判断，并用平均浓度(10-6)表示。嗅觉阈值有感觉阈值(也叫做绝对阈值)和识别阈值两种。感觉阈值是虽然不知是什么性质的气味，但可以感觉到有气味的最小浓度。识别阈值是可以感觉到是什么气味的最小浓度。一般后者总是高于前者。如氨的感觉阈值为0.1，识别阈值为0.6；硫化氢分别为0.0005和0.006；甲硫醇分别为0.0001和0.0007。嗅觉阈值是研究和评价气味常用的最重要的参数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条