1) emitter
[英][i'mitə] [美][ɪ'mɪtɚ]
发射极，射极
3) emitter
[英][i'mitə] [美][ɪ'mɪtɚ]
发射极
1.
The emitter turn-off (ETO) thyristor is a new MOS-controlled thyristor that is suitable for use in high-power converters dueto its improved switching performance and easy control.
发射极关断(ETO)晶闸管是一种新型MOS可控晶闸管。
2.
High power GTO thyristors of 1000A,2500V and 2000A,2500V with a novel ring anode shorts emitter structure are developed.
采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。
3.
For traditional crystalline silicon solar cells on p-type substrates,the dependence of the solar cell performance on the diffusion concentration,the sheet resistance and the junction depth of the emitter was studied by utilizing PC1D simulation,combining with the variation of the substrate resistivity.
针对传统p型衬底晶硅太阳电池,通过PC1D数值计算,模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅衬底电阻率之间的依赖关系,分析了其中所蕴含的作用机理。
4) common emitter
共发射极
1.
This paper simulates the common base input characters,the common base output characters,the common emitter input characters,and the common emitter output characters of submicron pnpBJT in VLSIC with Matlab,concluding that it does not go all the way of common base input characters between the ideal pnpBJT and the real pnpBJT.
文章借助Matlab工具对超大规模集成电路(VLSIC)中小尺寸双极型晶体管(BJT)的共基极接法、共发射极接法的输入、输出特性进行了数值分析与计算。
2.
Cut off frequency is the main factor influencing frequency properties of electrode circuits of common emitter,common base and common collector.
截止频率是影响共发射极、共基极和共集电极电路频率特性的重要因素。
5) beta emmitter
β-发射极
6) emitter; emitting electrode
发射极[光]
补充资料：发射极功能逻辑电路
以"与"门输入和"或"门输出的非饱和型逻辑电路,简称EFL电路。它无"非"门的功能。其基本单元电路由两部分组成：由共基极工作方式的多发射极晶体管与上拉电阻Rc、下拉电阻Re构成输入级；由多发射极晶体管构成射极跟随器输出级(见图)。这种逻辑电路出现于70年代。在发射极功能逻辑电路中，共基极方式工作的输入晶体管的集电极 G点的电位与发射极输入端的逻辑关系为G＝A·B,发射极跟随器不改变其逻辑关系，而发射极跟随器发射极输出的"线"功能可实现"或"逻辑。因此，图中电路的输入、输出有如下逻辑关系
O1＝A·B＋C
O2＝A·B＋D
发射极功能逻辑同发射极耦合逻辑相同，典型的逻辑摆幅值为0.8伏,逻辑高电平为-0.8伏，逻辑低电平为-1.6伏，而参考电压Ub为-0.4伏。发射极功能逻辑电路是由发射极耦合逻辑电路改进而成。发射极耦合逻辑电路同相集电极构成"与"功能，射极跟随器的发射极输出能形成"或"功能，并只取发射极耦合逻辑电路的同相输出部分。
在发射极功能逻辑基本单元电路中，输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外，不包括任何反相器，这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
然而，发射极功能逻辑电路没有"非"的功能是一大缺点，因而应用受到限制。同时,由于Ub＝-0.4伏,输入晶体管集电结有0.4伏正偏,只有逻辑幅度和集电极串联电阻受到限制，才能保证输入晶体管集电极正偏不至于恶化到影响正常工作。
发射极功能逻辑电路是在发射极耦合逻辑电路基础上的简化电路，它在大规模集成电路中作为内部单元电路和在与发射极耦合逻辑电路配合时，以构成各种组合门方面显示出速度快、结构简单、功耗小和功能灵活等优点。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社出版，北京，1978。
O1＝A·B＋C
O2＝A·B＋D
发射极功能逻辑同发射极耦合逻辑相同，典型的逻辑摆幅值为0.8伏,逻辑高电平为-0.8伏，逻辑低电平为-1.6伏，而参考电压Ub为-0.4伏。发射极功能逻辑电路是由发射极耦合逻辑电路改进而成。发射极耦合逻辑电路同相集电极构成"与"功能，射极跟随器的发射极输出能形成"或"功能，并只取发射极耦合逻辑电路的同相输出部分。
在发射极功能逻辑基本单元电路中，输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外，不包括任何反相器，这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
然而，发射极功能逻辑电路没有"非"的功能是一大缺点，因而应用受到限制。同时,由于Ub＝-0.4伏,输入晶体管集电结有0.4伏正偏,只有逻辑幅度和集电极串联电阻受到限制，才能保证输入晶体管集电极正偏不至于恶化到影响正常工作。
发射极功能逻辑电路是在发射极耦合逻辑电路基础上的简化电路，它在大规模集成电路中作为内部单元电路和在与发射极耦合逻辑电路配合时，以构成各种组合门方面显示出速度快、结构简单、功耗小和功能灵活等优点。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社出版，北京，1978。
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