1) potential impairment
潜在减损
2) latent damage
潜在损伤
1.
Detecting of ESD latent damages in MOSFET is an ever existing difficult problem in VLSI technology.
MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题 。
2.
97A,latent damage is present in the resistor as a result of the breakage of n+-n junction at the anode.
97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。
3) potential loss
潜在损失
5) latent injury
潜在性损伤
6) ESD latent damage
ESD潜在损伤
补充资料：《潜在抗干扰性理论》
阐述无线电接收设备潜在抗干扰性理论的名著，苏联B.A.卡捷尼柯夫著。1947年作为博士论文在苏联莫斯科动力学院发表，1956年在莫斯科正式出版。全书共13章,分为4个部分。第一部分是阅读本书的预备知识。第二部分叙述离散消息传输系统的潜在抗干扰性，分别讨论了两个离散值信号和多离散值信号下的理想接收机和潜在抗干扰性。第三部分叙述连续消息、参量传输系统的潜在抗干扰性，分别讨论了不同调制方式（调幅、调频、脉冲调制）和不同噪声干扰强度（弱噪声、强噪声干扰）下的系统潜在抗干扰性。第四部分讨论连续消息、波形传输系统的潜在抗干扰性，分别研究了直接调制、脉冲调制（脉冲调幅、脉冲调位、脉冲调频）和积分调制系统的潜在抗干扰性。这本书是研究最佳接收理论的重要理论著作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条