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1)  potential vulnerability
潜在易损性
2)  latent injury
潜在性损伤
3)  latent damage
潜在损伤
1.
Detecting of ESD latent damages in MOSFET is an ever existing difficult problem in VLSI technology.
MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题 。
2.
97A,latent damage is present in the resistor as a result of the breakage of n+-n junction at the anode.
97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。
4)  potential impairment
潜在减损
5)  potential loss
潜在损失
6)  Damnum infectum
潜在损害
补充资料:低易损性炸药
分子式:
CAS号:

性质:对外部作用不敏感、安全性高的炸药。对撞击、摩擦的感度低,不易烤燃,不易殉爆,也不易由燃烧转爆轰,在生产、运输、贮存,特别是作战条件下较安全。采用不敏感的单质炸药,在炸药分子中引入适当的官能团以提高原有单质炸药的安全水平;采用分子间炸药和某些可降低炸药感度的弹性高聚物黏结剂等方法,均有助于降低炸药的易损性。三氨基三硝基苯、二氨基三硝基苯、六硝基茋等均为安全钝感单质炸药,可作为主体炸药配制低易损性炸药。

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