1) Positive magnetic susceptibility
正磁化率
2) orthogonal magnetization
正交磁化
1.
This paper presents a design of variable inductor based on the orthogonal magnetization in order to reduce the amplitude of harmonic and exciting current created by traditional magnetization saturation inductor.
提出基于交直流正交磁化的半铁心可调电抗器的设计思想,以解决传统可调电抗器中存在的谐波较大、控制电流较高等问题。
2.
Moreover,a novel non-contact variable reactor based on orthogonal magnetization is proposed,details of the principle are given and the application view is analyzed.
阐述了可控电抗器在电力系统中的作用,介绍了6种传统的电子调节式可控电抗器及超导型可控电抗器,着重分析了一种新型的基于正交磁化原理的非接触式可控电抗器的工作机理及应用特点。
3) normal magnetization
正常磁化
4) normal permeabillity
正常磁导率
5) spin susceptibility
顺磁磁化率
1.
Using the random matrix theory,we calculate the spin susceptibility of metallic nano-particles with the energy level spaceings conforming to the Gauss Orthogonal Ensemble and Gauss Symplectic Ensemble distribution respectively,and find that the spin susceptibility of an ensemble of metallic nano-particles are affected by the effect of level statistics and the electron number parity(odd or even).
考虑随机矩阵理论中高斯正交系综(Gauss Orthogonal Ensemble)与高斯辛系综(Gauss Symplectic Ensemble)所对应的电子能级及奇/偶电子数分布对金属纳米粒子顺磁磁化率的影响,数值计算得到了在不同的自旋-轨道耦合和磁场中奇/偶电子数分布的顺磁磁化率随温度的变化关系。
2.
The static paths approximation (SPA) method is used to calculate the spin susceptibility of small superconducting particles in grand canonical ensemble, with a treatment that properly takes into account the effects of thermal fluctuations and level statistics.
从约化BCS哈密顿量出发, 采用配分函数的路径积分表示方法, 在静态路径近似(SPA)方法下, 考虑准粒子的热涨落以及能级的统计效应对超导纳米粒子的电子磁化率的影响, 计算了弱磁场中的超导金属小粒子的顺磁磁化率, 并做了分析。
6) paramagnetic susceptibility
顺磁磁化率
1.
As the estimate of paramagnetic susceptibility of free electron in metal, the specific heat and the conductivity of free electron in metal can be also estimated by Pauli exclusion principle.
类似于估算自由电子顺磁磁化率 ,用泡利原理估算了自由电子的比热和电导率 ,其物理图像清楚 ,简单易懂 。
2.
In this paper,we have introduced calculated method and the process of deal with microcomputer for absorption spectra,the ZFS,EPR parameters of the ground state,the Schottky low-temperature heatcapacity,and the paramagnetic susceptibility of Ni(pz) 4Cl 2 complex,using complete configuration mixing unified crystal field theory for d 8[(1-C 2)D * 4h +C 2D * 2h ] .
利用d8[(1-C2 )D 4h+C2 D 2h]全组态混合统一晶场理论模型 ,介绍了Ni(pz) 4 Cl2 型络合物的吸收光谱 ,基态ZFS、EPR参量 ,低温下的肖特基 (Schottky)热容量和顺磁磁化率的计算方法以及微机处理过程 ,总结出了利用微机对其拟合的一般规
3.
By means of a complete configuration mixing unified crystal field theory for d~8(D_(4h)~*),the optical spectra,the ground state ZFS,EPS parameters,the ground state paramagnetic susceptibility and the magnetization of the Ni(mpz)_4Cl_2 compounds are analysed and calculated systematically.
利用 d~8(D_(4h)~*)全组态混合统一晶场理论对 Ni(mpz)_4Cl_2型化合物的吸收光谱、基态零场分裂、顺磁 g 因子及顺磁磁化率、磁化强度等进行了统一的计算,理论结果与实验一致,从而对 Ni(mpz)_4Cl_2的光、磁性质作出了完整的、合理的解释。
补充资料：磁化过程
使原来不显示磁性的物体在磁场中获得磁性的过程。理论和实验证明，一块状铁磁体在磁中性状态下分为若干自发磁化区域,即磁畴。当外磁场H＝0时,各磁畴的合磁矩等于零 (1)
式中Vi是第i个磁畴的体积，θi是第i个磁畴的磁矩Ms与某一特定方向（如磁场方向）间的夹角。
当加上外磁场时,铁磁体被磁化，沿H方向出现磁化强度δMH，由式(1)得 (2)
上式中的第一项表示各磁畴中的Ms的大小和方向不变，而畴的体积发生变化。自发磁化强度Ms的方向靠近H的那些磁畴长大，而Ms的方向与H的夹角大的那些磁畴缩小。这一过程是通过磁畴间界壁（即磁畴壁）的位移实现的，故称为畴壁位移过程，简称壁移过程。第二项表示各畴的Ms的大小及体积Vi不变, 但Ms的方向改变,转向外磁场H的方向,故称为磁畴转动过程,简称畴转过程。通过壁移及畴转过程,Ms完全沿H方向取向, 此时达到技术磁饱和。技术饱和磁化强度就等于该温度下的自发磁化强度。壁移和畴转过程有可逆和不可逆两种。第三项表示Ms本身数值的增加。这是由于强磁场的作用克服了热扰动的影响，使单位体积内平行于磁场的自旋磁矩数增加。此过程与顺磁性有类似之处，故称为顺磁过程。在极强的磁场中，铁磁体的磁化强度趋于其绝对零度时的自发磁化强度值。一般情况下顺磁过程对磁化强度的增加贡献很小，所以铁磁体磁化曲线的进程主要取决于前两种技术磁化过程。一般地说，在弱磁场中，壁移过程占主导，接着是畴转过程，只有在强磁场中才有较明显的顺磁过程。
附图示出铁型晶体磁化过程的示意图。在起始状态（0点）,样品中形成闭合的磁畴结构。加上磁场后,在弱场范围(0-a)发生可逆壁移过程，磁化强度随H的变化缓慢。当H增大到磁化曲线比较陡峻的区域(a-b)，发生不可逆壁移过程,出现阶跃式的磁化(称为巴克好森跳跃)。在曲线拐点处(c点),样品处于单磁畴状态，磁场再增大时，依次发生畴转过程及顺磁过程。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系"铁磁学"编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
戴礼智编著：《金属磁性材料》,上海人民出版社,上海，1973。
式中Vi是第i个磁畴的体积，θi是第i个磁畴的磁矩Ms与某一特定方向（如磁场方向）间的夹角。
当加上外磁场时,铁磁体被磁化，沿H方向出现磁化强度δMH，由式(1)得 (2)
上式中的第一项表示各磁畴中的Ms的大小和方向不变，而畴的体积发生变化。自发磁化强度Ms的方向靠近H的那些磁畴长大，而Ms的方向与H的夹角大的那些磁畴缩小。这一过程是通过磁畴间界壁（即磁畴壁）的位移实现的，故称为畴壁位移过程，简称壁移过程。第二项表示各畴的Ms的大小及体积Vi不变, 但Ms的方向改变,转向外磁场H的方向,故称为磁畴转动过程,简称畴转过程。通过壁移及畴转过程,Ms完全沿H方向取向, 此时达到技术磁饱和。技术饱和磁化强度就等于该温度下的自发磁化强度。壁移和畴转过程有可逆和不可逆两种。第三项表示Ms本身数值的增加。这是由于强磁场的作用克服了热扰动的影响，使单位体积内平行于磁场的自旋磁矩数增加。此过程与顺磁性有类似之处，故称为顺磁过程。在极强的磁场中，铁磁体的磁化强度趋于其绝对零度时的自发磁化强度值。一般情况下顺磁过程对磁化强度的增加贡献很小，所以铁磁体磁化曲线的进程主要取决于前两种技术磁化过程。一般地说，在弱磁场中，壁移过程占主导，接着是畴转过程，只有在强磁场中才有较明显的顺磁过程。
附图示出铁型晶体磁化过程的示意图。在起始状态（0点）,样品中形成闭合的磁畴结构。加上磁场后,在弱场范围(0-a)发生可逆壁移过程，磁化强度随H的变化缓慢。当H增大到磁化曲线比较陡峻的区域(a-b)，发生不可逆壁移过程,出现阶跃式的磁化(称为巴克好森跳跃)。在曲线拐点处(c点),样品处于单磁畴状态，磁场再增大时，依次发生畴转过程及顺磁过程。
参考书目
郭贻诚编著:《铁磁学》,高等教育出版社,北京,1965。
北京大学物理系"铁磁学"编写组编:《铁磁学》,科学出版社，北京，1976。
李荫远、李国栋编：《铁氧体物理学》，修订版，科学出版社，北京，1978。
戴礼智编著：《金属磁性材料》,上海人民出版社,上海，1973。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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