1) saucer pit defect
碟状坑缺陷
2) saucer pit defects
碟形坑缺陷
3) pit defects
坑状缺陷
1.
Influence of pit defects on AlGaN surface and dislocation defects in GaN buffer layer on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs;
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响
4) Dishing defects
碟形缺陷
5) dishing settlement
碟状沉陷
6) crater defect
弧坑缺陷
1.
Finite element analysis for penstock's crater defect;
压力钢管弧坑缺陷有限元分析
补充资料：碟形封头
分子式：
CAS号：
性质：又称带折边球形封头。其壳体轴向截面为带折边部分球面，结构见图(图暂缺)。该封头由半径Ri的球面、高度为L的圆筒形直边，半径为r的连接球面与直边的过渡区三部分组成。过渡区的存在使球面与圆筒体的连接由突然转折而变为平滑过渡，较好地改善了连接处的受力状况。碟形封头深度h与Ri和r有关，h值的大小直接影响封头的制造难易和壁厚的多少。故在设计时要合理的选取h、r和Ri，详细规定参考GB150“钢制压力容器”规范。
CAS号：
性质：又称带折边球形封头。其壳体轴向截面为带折边部分球面，结构见图(图暂缺)。该封头由半径Ri的球面、高度为L的圆筒形直边，半径为r的连接球面与直边的过渡区三部分组成。过渡区的存在使球面与圆筒体的连接由突然转折而变为平滑过渡，较好地改善了连接处的受力状况。碟形封头深度h与Ri和r有关，h值的大小直接影响封头的制造难易和壁厚的多少。故在设计时要合理的选取h、r和Ri，详细规定参考GB150“钢制压力容器”规范。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条