1) masking blade
遮光板，掩蔽片
2) tenting
[英][tent] [美][tɛnt]
掩蔽，遮盖
3) shelter
[英]['ʃeltə(r)] [美]['ʃɛltɚ]
掩蔽，遮蔽，屏障，掩蔽所
4) masking
[英]['mɑ:skiŋ] [美]['mæskɪŋ]
遮蔽，掩蔽，伪装
5) scale masking
鳞片遮蔽
6) Mask
[英][mɑ:sk] [美][mæsk]
遮蔽挡板
1.
According to the requirement for film thickness profile along the radius in the graded reflectivity mirror,which is used in the designed single transverse Nd∶YAG laser resonator,a designing method for mask is introduced,which is used for depositing graded reflectivity mirror.
针对所设计的单横模Nd∶YAG激光谐振腔对梯度反射率镜径向膜厚分布的要求,介绍了一种用于镀制梯度反射率镜的遮蔽挡板的设计方法。
补充资料：掩蔽
分子式：
CAS号：
性质：在分析测定多种组分的试样时，共存组分对欲测组分常产生干扰，若在试液中加入一种能与干扰物质发生化学反应的某种试剂，使干扰物质的浓度降低至不致干扰测定反应的程度，从而消除了干扰。此过程称为掩蔽或掩蔽效应(masking effect)。所加入的试剂称为掩蔽剂(masking agent)。根据化学反应的类型不同，掩蔽剂可分为：络合掩蔽剂，它与干扰离子生成更稳定的络合物，这是应用广泛最重要的一类掩蔽剂；沉淀掩蔽剂，与干扰离子生成沉淀；氧化还原掩蔽剂，它是一种氧化剂或还原剂，能改变离子的价态。利用掩蔽法消除干扰，比采用分离方法省时、省力。掩蔽效率用掩蔽指数来衡量，常用符号lgαN(x)表示。N代表干扰离子，X代表络合掩蔽剂，αN(x)表示掩蔽效率。αN(x)=[N]+[NX1]+[NX2]+…+[NXn]/[N]=[N]总/[N]。取对数式lgαN(x)=lg[N]总/[N]。lgαN(x)称为掩蔽指数。式中[N]总表示干扰离子与络合剂X生成络合物各种型体浓度的总和，[N]表示游离干扰离子的浓度。显然，lgαN(x)值越大，游离[N]越少，说明掩蔽效率越高。
CAS号：
性质：在分析测定多种组分的试样时，共存组分对欲测组分常产生干扰，若在试液中加入一种能与干扰物质发生化学反应的某种试剂，使干扰物质的浓度降低至不致干扰测定反应的程度，从而消除了干扰。此过程称为掩蔽或掩蔽效应(masking effect)。所加入的试剂称为掩蔽剂(masking agent)。根据化学反应的类型不同，掩蔽剂可分为：络合掩蔽剂，它与干扰离子生成更稳定的络合物，这是应用广泛最重要的一类掩蔽剂；沉淀掩蔽剂，与干扰离子生成沉淀；氧化还原掩蔽剂，它是一种氧化剂或还原剂，能改变离子的价态。利用掩蔽法消除干扰，比采用分离方法省时、省力。掩蔽效率用掩蔽指数来衡量，常用符号lgαN(x)表示。N代表干扰离子，X代表络合掩蔽剂，αN(x)表示掩蔽效率。αN(x)=[N]+[NX1]+[NX2]+…+[NXn]/[N]=[N]总/[N]。取对数式lgαN(x)=lg[N]总/[N]。lgαN(x)称为掩蔽指数。式中[N]总表示干扰离子与络合剂X生成络合物各种型体浓度的总和，[N]表示游离干扰离子的浓度。显然，lgαN(x)值越大，游离[N]越少，说明掩蔽效率越高。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条