1) duoplasmatron ion source
双等离子体离子源
2) duoplasmatron source
双等离子体源
3) plasma source
等离子体源
1.
Preparation and characterization of DLC films by microwave ECR plasma source enhanced unbalance magnetron sputtering;
微波ECR等离子体源增强非平衡磁控溅射DLC膜的制备与表征
2.
Study on Key Issues of Constructing Large-scale DBD Oxygen Plasma Source;
大尺度DBD氧等离子体源构建的关键问题研究
3.
Low power microwave plasma source based on microstrip split-ring resonator fed directly
直接馈电微带缝环谐振器实现微波等离子体源
4) plasma sources
等离子体源
1.
In the present paper, the functions of plasma etch and plasma sources are discussed.
讨论等离子体刻蚀及其等离子体源在微电子工业中的作用,介绍四种高效等离子体源,并讨论这一领域亟待解决的问题。
5) plasma source
等离子源
6) plasma source ion implantation(PSII)
等离子体源离子注入(PSII)
补充资料：等离子体双液体模型
等离子体双液体模型
two - liquid plasma model
。八取。e，，Mo八e二‘n”臼M“l 一种流体动力学模型，在其中等离子体被看作是由两种互相穿透运动的“液体”(电子和离子的液体)组成的.等离子体的电阻被认为是这些液体之间相互摩擦的结果. 按电子只受电子压p。作用而离子只受离子压几作用的假设，运动方程组有形式 业1竺址_一。丁E一李:v_、Hl!+ dt一(一“‘’尸一’少 VP。。__，、， 一-兰二生一Rn，(V一V、.门) 刀e 攀一{二告:一小 VP，n__，、， 一-二止生七一Rn_(V一V_)fZ) 儿，电子和离子之间的相互作用是通过摩擦力来考虑的，该力正比于速度差与运动减速粒子的浓度之乘积.量R称为相互摩擦系数或扩散阻力系数.考虑到等离子体的类中性条件(”。二Zn，=”)，等离子体双液体模型的运动方程化为形式 dV 11 二分=一含V尸+:子二[j xH]， d tP’J’Pe其中 儿MV.+”_mV_ V=.‘二二二~‘-‘--‘二里止二‘‘乙 Mn，+水n。是平均质量速度，p一p，+几是总压力，而j二e(Zn，V一n。V。)是离子流.如果m/M<
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条