1) plasma source ion implantation
等离子体源离子注入
1.
Two-dimensional particle-in-cell simulation of the ion sheath dynamics in plasma source ion implantation of a hemispherical bowl-shaped target;
半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟
2.
Energy and angle distributions of ions striking an inner surface of hemispherical bowl-shaped target in plasma source ion implantation;
等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布
3.
Computer Simulation of Plasma Sheath Evolution in Plasma Source Ion Implantation;
等离子体源离子注入过程中鞘层时空演化的计算机模拟
2) PSII
等离子体源离子注入
1.
Axial property of the inner surface of a metal tube processed by GEPSII;
金属管件内壁栅极增强等离子体源离子注入的轴向特性研究
2.
dynamic modle of PSII for collisional plasma in planar geometry by solving a group of differential equations numerically.
等离子体源离子注入是用于材料表面改性的一种新的、廉价的、非视线技术。
3.
The auxiliary electrode radius in a vacant circular pipe is crucial to the ion dose in plasma source ion implantation(PSII),because it affects the resultant surface structure and properties.
在带有共轴零电位附加电极的空心圆管等离子体源离子注入过程中,附加电极半径的大小直接影响到空心圆管端点内表面、端点表面和外表面的离子注入剂量,进而影响空心圆管表面的结构和性质,对空心圆管的不同部位这种影响是不同的。
3) PSⅡ
等离子体源离子注入
1.
Using the new inner surface modification technique named GEPSⅡ(grid enhanced plasma source ion implantation), which is designed for inner surface modification of tubular work piece, has successfully produced TiN coating on 0 45% C steel (45# steel).
阐述了栅极增强等离子体源离子注入 (GEPSII)方法的基本思想 。
4) plasma source ion implantation(PSII)
等离子体源离子注入(PSII)
5) plasma source ion implantation (PSII)
等离子源注入
6) plasma beam injection
等离子体束注入
补充资料：离子源悬浮反射电极
离子源悬浮反射电极，该反射电极包括一反射极与阴极连接杆、一绝缘套、一支撑板、一内屏蔽筒、一绝缘柱、一反射极和一连接杆。所述的绝缘套为陶瓷材料。所述的内屏蔽筒为高纯钼材料；所述的绝缘柱为99 陶瓷材料；所述的反射极为高纯钼材料，圆筒结构。该实用新型结构简单，能够保证绝缘瓷柱免受污染，有效地延长离子源的使用寿命。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条