2) the output voltage sensitivity of bridge
电桥的输出电压灵敏度
3) phase-sensitive bridge
相敏电桥
4) varistor voltage
压敏电压
1.
5% ,the grain size will be enlarged and the varistor voltage V1 mA will be decreased with little change of nonlinear coefficient a.
结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。
2.
1％ (in mole content), the nonlinearity and the varistor voltage V_(1mA) will be increased.
1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0。
3.
54 and varistor voltage of 20.
经200℃退火热处理后,多层ZnO薄膜的非线性系数达到61·54,压敏电压20·10V。
5) breakdown voltage
压敏电压
1.
The result showed that burying sintering process may make breakdown voltage smaller and apparen.
结果表明,采取粉料埋烧可以明显降低压敏电压、提高介电常数。
2.
The results show that the sample doped with Ta2O5 exhibits the lowest breakdown voltage(E10mA = 5.
结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5。
3.
Based on the results of measurements of resistance-frequency,electric capacity-frequency and electric current-voltage,The electrical properties such as breakdown voltage,electric capacity and the semi-conductivity of the samples were investigated.
3时,压敏电压最低(E10mA为8V。
6) bridge sensitivity
电桥灵敏度
1.
This article analyzes the direct bridge circuit of Hyston s bridge and its balance conditions and calculates that the tiny change of electric resistance has an influence on the bridge sensitivity in detail.
分析了直流惠斯登电桥的电桥桥路及平衡条件,详细计算了电阻的微小变化对电桥电压灵敏度的影响,找出了提高电桥灵敏度的方法,简要说明了通过合理调整电桥桥臂元件可以使惠斯登电桥在工业和实验中广泛应用。
补充资料：电压敏效应
分子式：
CAS号：
性质：又称电压敏效应。某些半导体材料的电阻值对外加电压敏感的现象。是由半导体材料的晶界效应引起的。具有非线性伏安特性。这类半导体材料的主晶相主要有氧化锌、碳化硅、钛酸锶、硅、锗、硒化镉和硒等。通常按压敏电压可分为高压、中压和低压三类压敏电阻器。在浪涌吸收、高压稳压，超导移能、无间隙避雷器等方面已获得广泛应用。
CAS号：
性质：又称电压敏效应。某些半导体材料的电阻值对外加电压敏感的现象。是由半导体材料的晶界效应引起的。具有非线性伏安特性。这类半导体材料的主晶相主要有氧化锌、碳化硅、钛酸锶、硅、锗、硒化镉和硒等。通常按压敏电压可分为高压、中压和低压三类压敏电阻器。在浪涌吸收、高压稳压，超导移能、无间隙避雷器等方面已获得广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条